分析MOS管的開啟電壓對(duì)管子導(dǎo)通狀態(tài)的影響。
準(zhǔn)備工具: 電路仿真軟件LTspice,NMOS模型電路,NMOS數(shù)據(jù)手冊(cè)等
進(jìn)行試驗(yàn):步驟1、先搭建一個(gè)簡(jiǎn)單的NMOS開關(guān)仿真電路,如圖:
MOS的開啟電壓,如下圖,
從圖中可以看到MOS管的開啟電壓在1v~2.2v之間,所以我們將VGS驅(qū)動(dòng)電壓設(shè)置在2.5v,然后改變電阻R1的阻值,觀察VDS的電壓變化。
步驟3、設(shè)置好參數(shù)后,我們開始仿真,仿真結(jié)果如圖下;
從圖中我們可以看到電阻R1的變化帶來VDS的壓降變化,0.4v到10v,也就是從接近完全導(dǎo)通到完全截止。
步驟4、接下來我們將驅(qū)動(dòng)電壓VGS設(shè)置為2.8v,在來仿真一下,結(jié)果如圖下;
這次我們可以看到只有兩根線了,并且VDS的壓降最低為0v,也就是說管子在VGS=2.8V的時(shí)候,漏極電阻調(diào)到合適的值,管子是可以完全導(dǎo)通的。
步驟5、我們把VGS的值改為3V,再來仿真看結(jié)果
這次我們可以看到管子VDS的壓降也就完全到mv級(jí)別了。
從上面這幾個(gè)仿真可以發(fā)現(xiàn),1、NMOS的漏級(jí)電壓vds由驅(qū)動(dòng)電壓VGS和漏極電阻R1決定;2、VGS越大越有利于管子的導(dǎo)通;3、MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓要大于規(guī)格書的最大開啟電壓(最小1v),才能讓管子完全導(dǎo)通。
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