MOS管GS兩端并聯(lián)阻容作用
仿真分析
如圖所示MOS管驅(qū)動(dòng)電路，定性分析可知，當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，MOS管兩端應(yīng)力為Vds，此時(shí)Vds向Cgd和Cgs充電，可能導(dǎo)致Vgs達(dá)到Vgs(th)導(dǎo)致MOS管誤導(dǎo)通。
圖1 MOS管驅(qū)動(dòng)等效電路
以MOS管IMZA65R048M1H為例
設(shè)此時(shí)應(yīng)力Vds為600V，Cgs兩端電壓為
此時(shí)Vgs已經(jīng)達(dá)到，管子開(kāi)啟電壓Vgs(th)
如果Cgs兩端并接電阻R=10k
此時(shí)Vgs會(huì)慢慢降為0，Vds基本落在Cgd兩端，但是還是會(huì)有一個(gè)較高的電壓尖峰，此時(shí)Cgs兩端并聯(lián)一個(gè)2.2nF的電容，此時(shí)可以發(fā)現(xiàn)電壓尖峰只有2.2V左右，可以有效防止MOS管的誤導(dǎo)通。
結(jié)論：
Cgs兩端并接阻容可以有效防止MOS管的誤導(dǎo)通。
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