MOS驅動電路原理圖
其中12的升壓電路是為了給橋臂驅動芯片IR2105供電使用。這種芯片有很多替代品。
重點說明MOS橋的電路模型：
1.首先，很多電路中，MOS管柵源兩極的并聯(lián)電阻，主要是為了放電，因為MOS管內部類似于一個電容，如果PWM信號 Dout沒有下拉功能，MOS導通后就會一直處于導通狀態(tài)，這里并聯(lián)一個電阻后，當Dout變成低電位時，可以把MOS管結電容的電放掉！如果信號有下拉功能，可以取消此電阻。
2.半橋驅動電路的關鍵是如何實現(xiàn)上橋的驅動。圖2中C1為自舉電容，D1為快恢復二極管。PWM在上橋調制。當Q1關斷時，A點電位由于Q2的續(xù)流而回零，此時C1通過VCC及D1進行充電。當輸入信號Hin開通時，上橋的驅動由C1供電。
由于C1的電壓不變，VB隨VS的升高而浮動，所以C1稱為自舉電容。每個PWM周期，電路都給C1充電，維持其電壓基本保持不變。D1的作用是當Q1關斷時為C1充電提供正向電流通道，當Q1開通時，阻止電流反向流入控制電壓VCC。D2的作用是為使上橋能夠快速關斷，減少開關損耗，縮短MOSFET關斷時的不穩(wěn)定過程。
D3的作用是避免上橋快速開通時下橋的柵極電壓耦合上升(Cdv/dt)而導致上下橋穿通的現(xiàn)象。Q4 主要是續(xù)流二極管，MOS中本身有寄生二極管，但是怕遭不住啊，電路中感性電路，如電機，可以通過該二極管進行釋放。
3.電機反向電壓！相對于電池的供電電壓，本來接電源正極的電機一端變成了負極，而電流方向不變。一般出現(xiàn)在斷電瞬間。而在不同器件的反向電壓，比如mos的反向電壓由于電機反向電壓過大，通過電源反向加載mos兩端。
而另一方面，電機斷電的瞬間電流方向不變，電壓方向（變成供電電源）的負極與電池的正極相連 ，那么通過二極管就可以釋放其中的能量。
續(xù)流二極管都是相對于電源反并聯(lián)在線圈的兩端，因為線圈可能會產生數倍于電源的反向電壓（反向電壓指的是 電機的電壓與電源電壓 高勢點，低勢點結點相同），反向作用于電路其他器件，反向給電路供電，比如mos，三極管等器件。在全橋電路當中，先把電源視為導線，全橋中間的負載，反作用于MOS電路及其他器件。
4.電感在上電的瞬間 由于阻礙電流的增大，和正向磁通變化，會在電感兩端產生反向電動勢，及 與電源電壓 高勢點，低勢點結點相同）
當接通電路時，電感的電動勢方向是阻礙磁通的增加，也就是說阻礙電流的增加，為上正下負；（電源的正極與電機的正極同一結點）
當切斷電路時，電感的電動勢方向是阻礙磁通的減少，也就是說維持原來電流，為上負下正，充當電源；（反向電壓）
5.電壓斷掉，電感的電動勢反向，線圈產生的感應電動勢通過二極管和線圈構成的回路做功而消耗掉，叢而保護了電路中的其它原件的安全。比如繼電器反并聯(lián)肖特基二極管。
設計注意要點
脈沖底部的毛刺通常不會造成同時導通，注意死區(qū)時間的控制。但毛刺太大的話，注意很可能是共同導通造成的短路電流的影響。兩管的驅動電路的電阻不能太大。
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