大家都知道MOS管屬于電壓控制型元器件。即在MOS管的柵極加上電壓時(shí),當(dāng)柵-源電壓壓差大于Vgs(th)時(shí),MOS管即可導(dǎo)通(不能大太多,否則會(huì)燒毀)。當(dāng)源極電壓確定后,我們可以通過控制柵極電壓實(shí)現(xiàn)MOS管的導(dǎo)通與截止,這樣也就實(shí)現(xiàn)了MOS管漏極或者柵極負(fù)載的開與關(guān)。
1、NMOS管
源極接地,柵源極電壓等于柵極電壓,此時(shí)我們?cè)跂艠O電壓處加上PWM,即可實(shí)現(xiàn)MOS管的導(dǎo)通與截止,導(dǎo)通時(shí),發(fā)光二極管正常工作。截止時(shí),發(fā)光二極管停止工作。
發(fā)光二極管不接在柵極處,原因,此時(shí)不方便判斷柵源電壓。通常在NMOS管做開關(guān),負(fù)載接在漏極。
2、PMOS管
源極接電壓,柵極接PWM。柵源電壓大于Vgs(th)時(shí),MOS管導(dǎo)通。發(fā)光二極管工作。當(dāng)柵源電壓小于Vgs(th)時(shí),MOS管截止,發(fā)光二極管停止工作。
發(fā)光二極管不接在源極,因?yàn)闊o法判斷源極電壓。沒有直接接在漏極方便。
總之做開關(guān)時(shí),負(fù)載接在漏極。
在一些場(chǎng)景下,電路還會(huì)進(jìn)行軟啟動(dòng)的設(shè)計(jì)。
即如下所示:
電阻R與C構(gòu)成了軟啟動(dòng)的作用。
軟啟動(dòng)使得MOS管柵極上電較更為平緩,同時(shí)時(shí)間增加。
如下為其他項(xiàng)目用到延時(shí)與否的對(duì)比。
軟啟動(dòng)
非軟啟動(dòng)
可以看到軟啟動(dòng)效果更加優(yōu)于不加軟啟動(dòng)措施,所以軟起動(dòng)的設(shè)計(jì),在MOS管做開關(guān)時(shí)也是尤為重要。
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