PMOS管用作電源開關(guān)注意事項(xiàng):PMOS管作電源開關(guān)時因開關(guān)速度過快導(dǎo)致電源被拉下。
在電路中用到了三極管和MOS管做電源開關(guān),原有問題電路如下圖:POWER_RESET為高,Q4和Q2均導(dǎo)通,電源接通; POWER_RESET為低時,Q4和Q2均不導(dǎo)通,電源不通。
做好PCB板,焊上相應(yīng)器件,上電發(fā)現(xiàn)電路工作不正常,表現(xiàn)為,在POWER_RESET突然變高時,即電源3V3突然接通時,前級電源DCDC_3V3被拉下。
用示波器測量如下:
那么是為什么呢?原因是因?yàn)殚_關(guān)的開啟速度過快,瞬間導(dǎo)通,而后級3V3電源有很多電路均在使用,會接了很多濾波電容,總電容量很大。
在電源突然接通的時候,需要對這些電容進(jìn)行充電,電容量大,導(dǎo)致剛開始需要的電流很大,而前級來不及提供,導(dǎo)致電源被拉下。
知道了問題的原因,那么如何修正呢?那就需要讓開關(guān)不能打開過快,需要慢慢打開。
改進(jìn)電路如下:
首先C169可以讓Q4導(dǎo)通時間變緩,這是一方面。然后C168和R171可以讓Q3導(dǎo)通變緩。
Q4導(dǎo)通前Q3的Vgs=0。當(dāng)Q4由不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通時,因?yàn)镼3的GS上面有電容,電容兩端電壓不能突變,Q3的G極不會馬上被拉低,而是需要通過R171對電容C168和C167進(jìn)行充電,充電的過程就是G極電壓變低的過程,即Vgs是慢慢變化的,所以Q3也是慢慢導(dǎo)通的,開啟的速度取決于C167和C168及R171的值。
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