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  • 電源電路分析,全橋逆變電路部分詳解
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-12-23 17:08:49
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    電源電路分析,全橋逆變電路部分詳解
    單相逆變不間斷電源設(shè)計(jì)電路中的全橋逆變電路部分。
    全橋逆變電路
    它是由兩個(gè)IR2101驅(qū)動(dòng)和4個(gè)MOS管構(gòu)成的全橋逆變電路。
    提問(wèn):IR2101不是半橋驅(qū)動(dòng)芯片嗎?沒(méi)錯(cuò),的確是半橋驅(qū)動(dòng)芯片,和IR2104一樣的,常被用在三相逆變電路中做三個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)逆變電路來(lái)生成三相波。那組成全橋逆變電路又是什么原理呢。
    我們首先來(lái)看一下IR2101的常用連接電路和內(nèi)部電路。
    全橋逆變電路
    全橋逆變電路
    看這些可能看不明白,結(jié)合內(nèi)部電路和我們的設(shè)計(jì)電路來(lái)一起看就會(huì)清楚很多。我們都知道MOS管需要高電平導(dǎo)通工作(大概15V±5V左右)。
    全橋逆變電路
    本設(shè)計(jì)電路中,D3和C5會(huì)和負(fù)載共同構(gòu)成一個(gè)常見(jiàn)的Boost升壓電路,會(huì)在芯片8腳(也就是VB腳)上產(chǎn)生一個(gè)較高的電壓,從而成功驅(qū)動(dòng)MOS管開(kāi)閉。
    C5升壓就需要IR2101先開(kāi)通低端MOS管(Q5),來(lái)給C5充電,然后再開(kāi)高端MOS管(Q6);如果上橋需要保持一個(gè)比較長(zhǎng)的時(shí)間則需要重復(fù)充電的動(dòng)作來(lái)保證VB腳的電位不會(huì)低于一個(gè)較高的電位(高于1腳電壓10V左右)
    電壓型全橋逆變電路可看成由兩個(gè)半橋電路組合而成,共4個(gè)橋臂,橋臂3和6為一對(duì),橋臂4和5為另一對(duì),成對(duì)橋臂同時(shí)導(dǎo)通,兩對(duì)交替各導(dǎo)通180°半橋恒導(dǎo)通,即Q3和Q6恒導(dǎo)通,這樣上管Q3的源極電位就變成了VCC,而柵級(jí)必須比源級(jí)高10V~20V才能保持Q3的DS導(dǎo)通,否則MOS管會(huì)進(jìn)入線(xiàn)性區(qū)開(kāi)始發(fā)熱。
    驅(qū)動(dòng)IR2101的5腳和7腳是互補(bǔ)輸出,一個(gè)是高電平輸出,另一個(gè)就是低電平輸出,這也確保了導(dǎo)通的上橋升壓電容充電正常。
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