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  • PMOS電路,PMOS低電平驅(qū)動(dòng)介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-12-10 14:25:44
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    PMOS電路,PMOS低電平驅(qū)動(dòng)介紹
    PMOS原理
    PMOS 低電平 驅(qū)動(dòng)
    如上圖,PMOS管是壓控型器件,|Vgs|電壓大于|Vth|電壓時(shí),內(nèi)部溝道在場強(qiáng)的作用下導(dǎo)通,|Vgs|電壓小于|Vth|電壓時(shí),內(nèi)部溝道截止;
    |Vgs|電壓越高,內(nèi)部場強(qiáng)越大,導(dǎo)通程度越高,導(dǎo)通電阻Ron越小,注意,|Vgs|電壓不能超過芯片允許的極限電壓;
    說明:PMOS管一般作為高端驅(qū)動(dòng)器件,源級(jí)S接電源正極。
    寄生參數(shù)
    1、寄生二極管
    使用時(shí),要特別注意內(nèi)部寄生二極管,如果接反,將導(dǎo)致無法關(guān)閉PMOS管;另外,某些場合可以巧用寄生二極管,比如做防反接使用時(shí),詳情請(qǐng)閱讀后面的內(nèi)容。
    2、寄生電容
    使用時(shí),要特別注意GS管腳的寄生電容Cgs,控制PMOS管的導(dǎo)通與截止,本質(zhì)上是控制Cgs電容的充放電;
    如果要求PMOS快速導(dǎo)通與截止,此時(shí)需要驅(qū)動(dòng)源能夠提供足夠大的驅(qū)動(dòng)電流,以提供Cgs電容的瞬間充放電;
    如果僅僅作為開關(guān)使用,可以串電阻,以減小Cgs的充放電電流,此時(shí),對(duì)驅(qū)動(dòng)源的要求就不高,單片機(jī)的IO口(推挽輸出時(shí),可以提供20mA的驅(qū)動(dòng)電流)可以直接驅(qū)動(dòng)。
    選型依據(jù)
    ①、Ids電流,導(dǎo)通電阻Ron越小,允許的Ids越大;
    ②、開關(guān)速率,詳看手冊(cè)的打開、保持、關(guān)閉時(shí)間;
    ③、Vgs開啟電壓,驅(qū)動(dòng)電壓,極限電壓;
    ④、Vds極限電壓;
    ⑤、封裝尺寸;
    PMOS低電平驅(qū)動(dòng)
    防反接
    PMOS 低電平 驅(qū)動(dòng)
    設(shè)計(jì)說明:
    1、巧妙利用內(nèi)部寄生二極管。上電時(shí),通過內(nèi)部寄生二極管,|Vgs|電壓大于|Vth|電壓,PMOS管完全導(dǎo)通;
    2、R29,R31:電阻分壓,調(diào)整|Vgs|電壓,|Vgs|電壓盡量大,這樣,Ron越小,壓降越小,損耗越低;
    3、D5、穩(wěn)壓二極管,防止|Vgs|電壓超過極限電壓。
    高端開關(guān)
    PMOS 低電平 驅(qū)動(dòng)
    設(shè)計(jì)說明:
    1、如果VIN電壓小于單片機(jī)IO口電壓,可以去掉U6,直接控制U5;
    2、R10,R12:電阻分壓,調(diào)整Vgs電壓,|Vgs|電壓盡量大,這樣,Ron越小,壓降越小,損耗越低;
    3、R12同時(shí)起到限流作用,U6導(dǎo)通時(shí),Cgs寄生電容通過R12充電,避免過大的充電電流流過U6,出現(xiàn)大批量生產(chǎn)時(shí),MOS管被擊穿的現(xiàn)象。
    4、R16同樣起到限流作用,單片機(jī)輸出低電平時(shí),Cgs寄生電容通過R16放電,避免過大的放電電流流過單片機(jī)的IO口,出現(xiàn)大批量生產(chǎn)時(shí),單片機(jī)IO口被擊穿的現(xiàn)象。
    5、F2是PTC可恢復(fù)保險(xiǎn)絲,啟動(dòng)限流、短路保護(hù)的作用。
    小結(jié)
    PMOS管是驅(qū)動(dòng)電路常用的器件,使用時(shí)根據(jù)需求合理選擇型號(hào),應(yīng)用時(shí)注意內(nèi)部寄生參數(shù),極限參數(shù),提高產(chǎn)品的可靠性。
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