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PMOS,NMOS區(qū)分,記憶方法,制造工藝介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2022-11-29 16:07:58
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PMOS,NMOS區(qū)分,記憶方法,制造工藝介紹
記憶方法、繪圖:
1. 與SUB襯底(工藝中為N-Well / P-Well)聯(lián)接的一端均為S源極,另一端為D漏極。符號(hào)中三橫線表示三溝道,相聯(lián)的兩條對(duì)應(yīng)一端必為S源極;
2. 符號(hào)中箭頭方向代表電子e的移動(dòng)方向;Ep.N溝道MOS管多數(shù)載流子為電子e,工作時(shí)電子e流向溝道內(nèi)側(cè),箭頭向內(nèi),PMOS相反;
3. 寄生二極管方向與箭頭(電子e)方向同向(類似并聯(lián)電路電流方向一致);
4. D漏極、S源極接高電勢(shì)一端必定為寄生二極管指向的一端;
PMOS NMOS 記憶 工藝
PMOS NMOS 記憶 工藝
原理:
PMOS要形成P溝道(PNP),所需載流子為空穴,開關(guān)速度慢——【助記】P上面"O"類似空穴;
NMOS要形成N溝道(NPN),所需載流子為電子e,開關(guān)速度快——【助記】N轉(zhuǎn)90度類似"e";
特性:
1. NMOS N溝道載流子為電子e,形成導(dǎo)通溝道需要 + 電荷的吸引,因此高電平導(dǎo)通、低電平關(guān)閉;
2. PMOS P溝道載流子為空穴,形成導(dǎo)通溝道需要 - 電荷吸引,因此低電平導(dǎo)通、高電平關(guān)閉;
注:該方法僅供協(xié)助記憶,實(shí)際原理并非吸引,而是電場(chǎng)作用下電子在各原子間的移動(dòng)。
制造工藝:
PMOS NMOS 記憶 工藝
如圖左側(cè)為NMOS,右側(cè)為PMOS。
1. PW(P-Well(P阱))、NW(N-Well(N阱)),為NMOS、PMOS的襯底;
2. 為滿足半導(dǎo)體工藝制程要求,襯底聯(lián)接端與源、漏極設(shè)計(jì)在同一側(cè)(為降接觸電阻,接觸位置離子注入濃度高、各接觸點(diǎn)位置Dep金屬硅化物)。
3.通過(guò)相互聯(lián)接,可以組成最基礎(chǔ)的邏輯門電路,與門、非門、或門、與非門、或非門、異或門等,從而實(shí)現(xiàn)芯片邏輯運(yùn)算。
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