在N區(qū)兩側(cè)擴(kuò)散兩個(gè)P+區(qū),形成兩個(gè)PN結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)相連,引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。
導(dǎo)電原理:
(1)VGS=0時(shí),N型棒體導(dǎo)電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后,溝道中的電流最大。
(2)VGS<0時(shí),耗盡層加寬(主要向溝道一測(cè)加寬),并向溝道中間延伸,溝道變窄。
當(dāng)VGS
加上負(fù)VGS電壓和VDS電壓以后,VGD的負(fù)壓比VGS大,所以,二個(gè)反偏PN結(jié)的空間電荷區(qū)變得上寬下窄,使溝道形成楔形。
JFET通過(guò)VGS改變半導(dǎo)體內(nèi)耗盡層厚度(溝道的截面積)控制iD,稱為體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件;MOSFET主要通過(guò)改變襯底表層溝道的厚度來(lái)控制iD,稱為表面場(chǎng)效應(yīng)器件。
JFET的伏安特性(以N溝道JFET為例):伏安特性曲線和電流方程與耗盡型MOSFET相似。但VGS必定要反向偏置。
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