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  • PMOS做固態(tài)繼電器,PMOS防電流倒灌電路圖解
    • 發(fā)布時間:2022-10-27 18:02:24
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    PMOS做固態(tài)繼電器,PMOS防電流倒灌電路圖解
    固態(tài)繼電器電路
    可以通過增加一控制I/O,控制開通。并且能在主動關(guān)斷時,防止倒灌。
    PMOS 固態(tài)繼電器 防倒灌
    固態(tài)繼電器電路(防倒灌
    如上這個電路,這個電路廣泛使用在 電源管理、充電控制上。
    這個電路好就好在它是個雙向開關(guān),而且可完全控制開通/關(guān)斷,完全可以替代機(jī)械繼電器來做固態(tài)繼電器(前提是輸入的信號電壓不能太低,起碼超出PMOS的G極導(dǎo)通電壓范圍)。
    下面來分析原理:
    CONTROL電平為高,電路開通,雙向?qū)ǎ?/div>
    如CONTROL電平為高,則Q4 NMOS開通,Q2、Q3的G極電位均被拉低到0V。
    Q2的體二極管率先導(dǎo)通,Q2的S極電平為VCC-0.7V,因為G極電平為0,所以滿足開通條件,Q2完全導(dǎo)通。
    而Q3此時的S極與Q2的S極相連,電位相同,均為VCC。并且G極電平為0,也滿足開通條件,Q3也完全導(dǎo)通。之后VCC向負(fù)載正常供電。
    反過來,如果VCC=0,而負(fù)載是電壓源,也同樣導(dǎo)通,只不換成了Q3的體二極管先導(dǎo)通,然后再輪到Q2。
    CONTROL電平為低,電路完全關(guān)斷:
    CONTROL電平為低,Q2、Q3都會被關(guān)斷,并且R2持續(xù)上拉,保持Vgs=0,兩個PMOS全部處于完全關(guān)斷狀態(tài)。
    并且因為Q2、Q3的體二極管是反向串聯(lián)的,所以無論從左還是從右側(cè),流經(jīng)DS的電流只有反向漏電流,幾乎是沒有的。
    類似的開關(guān)電路
    上面的開關(guān)電路固然非常好,但需要的元件數(shù)量的比較多,并且需要串聯(lián)兩個PMOS,會對負(fù)載效率和成本造成一定的影響。
    如果只由一側(cè)向另一側(cè)供電,不考慮也不存在電流倒灌的情景。(實際中大多是是這種情景)來設(shè)計一個高側(cè)開關(guān)的話,可以是下面這種樣式:
    PMOS 固態(tài)繼電器 防倒灌
    上圖能控制開通/關(guān)斷,但不能防止電流倒灌。(體二極管會導(dǎo)通)
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