以NMOS為例,測(cè)試NMOS作為開(kāi)關(guān)的電路設(shè)計(jì)。試驗(yàn)用的NOMS為RU75N08,其輸出特性曲線為:
從輸出特性曲線可以看出,只要Vgs大于截止電壓4.5V,DS就可以導(dǎo)通了。測(cè)試時(shí)直接使Vgs=+12V,Vds=+48V,負(fù)載電流最大可達(dá)到50A。
為了方便單片機(jī)控制Vgs,可加一個(gè)三極管進(jìn)行電壓控制,加一個(gè)光耦進(jìn)行電氣隔離,通過(guò)單片機(jī)IO口電平高低來(lái)控制NOMS的通斷。
測(cè)試電路如下:
IN接單片機(jī)IO口,IN為高電平時(shí),發(fā)光二極體通過(guò)電流而發(fā)光,光敏元件受到光照后產(chǎn)生電流,光耦的NPN導(dǎo)通,PNP三極管Vb拉低,PNP導(dǎo)通,Vgs > 4.5V,NMOS導(dǎo)通,負(fù)載工作;
IN為低電壓時(shí),光耦不工作,PNP三極管Ve=Vb,PNP截止,Vgs = 0V,NMOS截止,負(fù)載不工作。
可以通過(guò)控制IN實(shí)現(xiàn)NMOS開(kāi)關(guān)作用。
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