電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,功率MOS可以在不同的調(diào)制方式下,實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的能量轉(zhuǎn)換功能。單個(gè)MOS驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,通過(guò)MCU的 PWM模塊調(diào)整占空比,控制功率MOS的通斷,達(dá)到相應(yīng)的功能。
另外,在一些過(guò)壓,過(guò)流和過(guò)載工況下,功率MOS很容易損壞,從而造成整個(gè)驅(qū)動(dòng)板的失效,甚至存在起火的風(fēng)險(xiǎn)。本文提出兩個(gè)冗余驅(qū)動(dòng)線路,可以有效避免MOS單點(diǎn)失效的負(fù)面影響。
圖1:典型的有刷電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
如圖2所示,通過(guò)冗余的驅(qū)動(dòng)和功率MOS,可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)的冗余,有效地隔離MOS失效的故障。
在本設(shè)計(jì)中,驅(qū)動(dòng)線路是完全隔離的,即驅(qū)動(dòng)的原邊和副邊是隔離,驅(qū)動(dòng)通道1和通道2是隔離。即使MOS失效,比如任意MOS短路,系統(tǒng)的高壓并不能傳導(dǎo)到低壓,從而實(shí)現(xiàn)故障隔離。
圖2:雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案
雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案的設(shè)計(jì)要點(diǎn)如下:
可以采用兩個(gè)單通道的隔離驅(qū)動(dòng)IC,如果采用隔離半橋驅(qū)動(dòng)芯片,芯片需要支持overlap模式。
輸入通道的供電通過(guò)電阻和二極管連接到驅(qū)動(dòng)供電軌。當(dāng)下管導(dǎo)通時(shí),驅(qū)動(dòng)電壓軌通過(guò)自舉二極管為自舉電容充電,自舉電容上的電壓可以為上橋臂驅(qū)動(dòng)模塊供電。
自舉二極管擊穿電壓大于母線電壓。
隔離IC的隔離工作電壓大于母線電壓。
PWM輸入信號(hào),經(jīng)過(guò)RC濾波網(wǎng)絡(luò),避免輸入干擾信號(hào)。
圖3:典型的有刷電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
UCC21225A 是隔離的雙通道驅(qū)動(dòng)芯片,原邊供電電壓3V-18V,副邊供電電壓6.5V – 25V,驅(qū)動(dòng)延遲時(shí)間18ns,CMTI為100V/ns,驅(qū)動(dòng)能力4A/6A,隔離等級(jí)為2500Vrms(在UL1577標(biāo)準(zhǔn)下)。
UCC21225A根據(jù)外圍線路,支持兩通道的低邊驅(qū)動(dòng),兩通道的高邊驅(qū)動(dòng)和半橋驅(qū)動(dòng)。在本文中,通過(guò)配置DT引腳,UCC21225工作在overlap模式。
表1:UCC21225A的參數(shù)表
同時(shí),UCC21225A具備隔離驅(qū)動(dòng)的特性,輸入和輸出是隔離的,兩個(gè)驅(qū)動(dòng)通道之間也是隔離的。TI技術(shù)說(shuō)明文檔“Understanding failure modes in isolators”,詳細(xì)給出了隔離器件的失效模式。
由該文檔可知,在失效模式2下,輸入模塊、隔離驅(qū)動(dòng)模塊1和隔離驅(qū)動(dòng)模塊2中的任一一個(gè)模塊發(fā)生故障(短路或者開路),不會(huì)擊穿絕緣基,即故障不會(huì)傳導(dǎo)到其他模塊。根據(jù)以上分析,MOS的不同形式的單點(diǎn)失效,對(duì)系統(tǒng)的影響如表格2所示。
表2:MOS不同失效下系統(tǒng)的影響
通過(guò)以上分析得知,在單個(gè)MOS的DS、GD、GS、GDS短路等失效條件下,可以保證系統(tǒng)功能正常,阻斷故障點(diǎn)的擴(kuò)大。但是在單個(gè)MOS的GS和DS開路失效條件下,功率回路斷開,系統(tǒng)可靠關(guān)斷。
同時(shí),如果雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案中的隔離半橋驅(qū)動(dòng),采用支持overlap的非隔離半橋驅(qū)動(dòng),對(duì)于單個(gè)MOS的DS短路故障,可以做到良好的隔離,對(duì)于MOS的GD、GS和GDS短路失效,會(huì)造成驅(qū)動(dòng)IC損壞,系統(tǒng)功能損壞。
雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案在MOS的GS和DS開路失效下,系統(tǒng)的功能異常,在雙管冗余驅(qū)動(dòng)方案上進(jìn)一步改進(jìn),將MOS和驅(qū)動(dòng)線路加倍,雙路MOS并聯(lián)在一起,可以保證在MOS的GS和DS開路失效條件下,系統(tǒng)功能正常。
圖4:四管冗余驅(qū)動(dòng)線路
最后,雖然本文給出的示例都是低側(cè)MOS驅(qū)動(dòng),在提供隔離驅(qū)動(dòng)電壓軌下,該方案也可以拓展到高側(cè)MOS驅(qū)動(dòng)。雙管冗余和四管冗余驅(qū)動(dòng)線路的優(yōu)缺點(diǎn)如下:
表3:雙管冗余和四管冗余驅(qū)動(dòng)方案的優(yōu)缺點(diǎn)分析
本文給出兩種MOS的冗余驅(qū)動(dòng)線路,可以有效避免MOS單點(diǎn)故障造成的影響,在MOS的DS、GD、GS、GDS短路等條件下,雙管冗余驅(qū)動(dòng)可以保證系統(tǒng)功能正常,阻斷故障點(diǎn)的擴(kuò)大。
同時(shí)四管冗余驅(qū)動(dòng),可以保證系統(tǒng)在MOS的任意單點(diǎn)故障下,隔離故障,系統(tǒng)功能正常。
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