功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?/div>
(1):等效電路
(2):說明
功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效,該電阻與溫度有關,溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關,驅(qū)動電壓升高,該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。
功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?)
(1):等效電路(門極不加控制)
(2):說明
即內(nèi)部二極管的等效電路,可用一電壓降等效,此二極管為MOSFET 的體二極管,多數(shù)情況下,因其特性很差,要避免使用。
功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?)
(1):等效電路(門極加控制)
(2):說明
功率 MOSFET 在門級控制下的反向?qū)?,也可用一電阻等效,該電阻與溫度有關,溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關,驅(qū)動電壓升高,該電阻變小。
詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態(tài)稱為MOSFET 的同步整流工作,是低壓大電流輸出開關電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。
功率MOSFET的正向截止等效電路
(1):等效電路
(2):說明
功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效,其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關,大小可從制造商的手冊中獲得。
功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)
(1):功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時的電流/電壓曲線
(2):說明
功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩(wěn)態(tài)工作點:
當門極不加控制時,其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點同二極管。
(3):穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)
-- 門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態(tài);當VgsVth時,器件處于導通狀態(tài);器件的通態(tài)電阻與Vgs有關,Vgs大,通態(tài)電阻?。欢鄶?shù)器件的Vgs為 12V-15V ,額定值為+-30V;
-- 器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標稱的;只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值,保證散熱沒問題,則器件就是安全的;
-- 器件的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù),故原理上很容易并聯(lián)擴容,但實際并聯(lián)時,還要考慮驅(qū)動的對稱性和動態(tài)均流問題;
-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET,其Vgs只要 5V,便可保證漏源通態(tài)電阻很?。?/div>
包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路
(1):等效電路
(2):說明
實際的功率MOSFET 可用三個結(jié)電容,三個溝道電阻,和一個內(nèi)部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關,而門極的溝道電阻一般很小,漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態(tài)電阻。
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