穩(wěn)壓二極管是一種特殊工藝制造的面結型硅半導體二極管，此類二極管雜質濃度比較高，空間電荷區(qū)的電荷密度比較大，該區(qū)域狹窄，容易形成強電場，當反向電壓來臨時，反向電流急劇增加，產生反向擊穿。
穩(wěn)壓管核心理論
穩(wěn)壓管未工作時，處于反向截止狀態(tài)；正常工作時，處在反向擊穿狀態(tài)。
穩(wěn)壓二極管通常是工作在反向擊穿狀態(tài)。
穩(wěn)壓管正反向特性曲線
正向特性：
穩(wěn)壓二極管的正向特性和普通二極管差不多。
反向特性：
其反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當反向電壓臨近反向電壓的臨界值時，反向電流驟然增大，稱為擊穿，在這一臨界擊穿點上，反向電阻驟然降至很小值。
盡管電流在很大的范圍內變化，而二極管兩端的電壓卻基本上穩(wěn)定在擊穿電壓附近，從而實現(xiàn)了二極管的穩(wěn)壓功能。
溫度影響
溫度對半導體器件影響較大，所以溫度也會影響Vz的值。影響的程度由溫度系數(shù)衡量，在讀數(shù)據手冊是請注意這一參數(shù)值。
下圖為穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線
穩(wěn)壓二極管的別稱叫齊納二極管，而齊納擊穿的原理如下：
在較高的反向電壓作用下，PN結的空間空間電荷區(qū)存在一個很強的電場，它能破壞共價鍵的束縛，將電子分離出來產生電子空穴對，在電場作用下，電子移向N區(qū)，空穴移項P區(qū)，從而形成很大的反向電流，這種現(xiàn)象叫做齊納擊穿。
齊納擊穿的條件：必須是半導體器件的雜質濃度很高，雜質濃度大，空間電荷區(qū)內電荷密度大，因而空間電荷區(qū)狹窄，電場強度才很高。
可逆與不可逆
齊納擊穿的過程是可逆的，在PN結上加上反向電壓減小\降低后，PN結仍可以恢復到原來的狀態(tài)。但是請注意親提條件，反向電流和反向電壓之積不能超過PN結容許的耗散功率，一旦超過且持續(xù)時間較長，將會導致器件損壞，這種就是發(fā)生熱擊穿，熱擊穿不可逆，注意避免。
（Izk為拐點電流；）
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