什么是場效應晶體管?
場效應晶體管（Field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元器件。場效應晶體管依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。
場效應晶體管有時也被稱為單極性晶體管，相對應的是雙極性晶體管（Bipolar junction transistors，縮寫：BJT）。由于半導體材料的限制，以及一段時期內雙極性晶體管比場效應晶體管更容易生產制造，場效應晶體管的出現(xiàn)要比雙極性晶體管更晚，但事實上，「場效應晶體管」的概念是要比「雙極性晶體管」更早的。
場效應晶體管的組成
場效應晶體管由各種半導體構成，目前而言，硅是最常見的。大部分的場效應晶體管通過傳統(tǒng)的「塊體半導體制造技術」生產制造，使用單晶半導體硅片作為反應區(qū)或溝道。
不常見體材料主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機場效應晶體管中的非晶半導體。
有機場效應晶體管基于有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。
場效應晶體管的特點
（1）它是電壓控制器件，通過柵源電壓來控制漏極電流；
（2）輸入端電流極小，輸入電阻很大；
（3）利用多數(shù)載流子導電，所以它的溫度穩(wěn)定性比較好；
（4）場效應晶體管組成的放大電路，其電壓放大系數(shù)會小于由三極管所組成的放大電路的電壓放大系數(shù)；
（5）抗輻射能力強；
（6）噪聲低。
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