雙向觸發(fā)二極管DB3

工作原理：二極管、晶體二極管為一個P型和N型半導(dǎo)體半導(dǎo)體PN結(jié)的形成及其形成兩邊的界面空間電荷層，并建自建電場。當(dāng)外加電壓不存在，是由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電流所造成的，同時漂移，并在平衡狀態(tài)。當(dāng)外面的世界有著積極的偏壓，外電場與電場的相互自我抑制的作用，在消除承運人增加，從目前的擴(kuò)散正向電流。當(dāng)外面世界的反向偏壓，外電場和電場，以進(jìn)一步加強(qiáng)自身建設(shè)，在某種形式的反向電壓和反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流i0 。當(dāng)反向電壓應(yīng)用到一定程度， PN結(jié)的空間電荷層的臨界電場強(qiáng)度值承運人乘法過程中，大量的電子空穴對，有相當(dāng)部分的數(shù)值反向擊穿電流，擊穿現(xiàn)象被稱為二極管。 該類型的二極管 有許多類型的二極管，根據(jù)半導(dǎo)體材料的使用，可分為鍺二極管（葛管）和硅二極管（硅管） 。根據(jù)其不同用途，可分為探測器二極管，整流二極管，二極管調(diào)節(jié)器，開關(guān)二極管，隔離二極管，肖特基二極管，發(fā)光二極管等。根據(jù)該核心結(jié)構(gòu)，可分為點接觸二極管，接觸式平面二極管和二極管。二極管是一個聯(lián)絡(luò)點，與一個很小的金屬絲壓在清潔表面上的半導(dǎo)體芯片，一個脈沖電流，導(dǎo)線接觸到年底晶片牢固燒結(jié)在一起，形成一個" PN結(jié)" 。點接觸，只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安） ，適用于小型高頻率電流電路，如無線電探測器。接觸二極管的" PN結(jié)"面積較大，允許更大的電流（幾的數(shù)十個） ，它可以用來變換交流電源到直流"整治"電路。平面二極管是一個特別設(shè)計的硅二極管，它不僅可以通過更大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，以及更多交換機(jī)，以及高頻率脈沖電路。

雙向觸發(fā)二極管主要參數(shù)和工作原理

DB3 雙向觸發(fā)二極管 - STAR - 　電子與電器

雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護(hù)等用途。

圖1是它的構(gòu)造示意圖。

圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效于基極開路、發(fā)射極與集電極對稱的NPN型晶體管。

因此完全可用二只NPN晶體管如圖4連接來替代。

雙向觸發(fā)二極管正、反向伏安特性幾乎完全對稱（見圖5）。

當(dāng)器件兩端所加電壓U低于正向轉(zhuǎn)折電壓V(bo)時，器件呈高阻態(tài)。當(dāng)U>V(B0)時，管子擊穿導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻區(qū)。

同樣當(dāng)U大于反向轉(zhuǎn)折電壓V(br)時，管子同樣能進(jìn)入負(fù)阻區(qū)。轉(zhuǎn)折電壓的對稱性用△V(B)表示。

△V(b)=V(bo)-V(br)。

一般△V(B)應(yīng)小于2伏。

雙向觸發(fā)二極管的正向轉(zhuǎn)折電壓值一般有三個等級：20-60V、100-150V、200-250V。

由于轉(zhuǎn)折電壓都大于20V，可以用萬用表電阻擋正反向測雙向二極管，表針均應(yīng)不動（RX10k),但還不能完全確定它就是好的。

檢測它的好壞，并能提供大于250V的直流電壓的電源，檢測時通過管子的電流不要大于是5mA。

用晶體管耐壓測試器檢測十分方便。

如沒有，可用兆歐表按圖6所示進(jìn)行測量（正、反各一次），電壓大的一次V(br)。

例如：

測一只DB3型二極管，第一次為27.5V，反向后再測為28V，

則△V(b)=V(bo)-V(br)=28V-27.5V=0.5V<2V，表明該管對稱性很好。

圖７是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構(gòu)成的臺燈調(diào)光電路。

通過調(diào)節(jié)電位器R2，可以改變雙向可控硅的導(dǎo)通角，從而改變通過燈泡的電流（平均值）實現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。

如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。

該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下，可控負(fù)載功率可達(dá)500W，各元件參數(shù)見圖所標(biāo)注。