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  • 關(guān)于壓敏電阻與TVS管應(yīng)用的分析和對比
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-12-15 18:10:23
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    關(guān)于壓敏電阻與TVS管應(yīng)用的分析和對比 
    氧化鋅壓敏電阻器與TVS管都是ESD防護(hù)常用的器件,對提升整機(jī)的ESD性能有非常重要的作用。但是氧化鋅壓敏電阻器與TVS管的導(dǎo)電機(jī)理及結(jié)構(gòu)各有差異,因此在具體應(yīng)用表現(xiàn)也不盡相同。
    金開盛電子將對二者在導(dǎo)電機(jī)理,脈沖能量耗散機(jī)理,ESD防護(hù)時(shí)的響應(yīng)時(shí)間的不同進(jìn)行分析闡述,糾正在響應(yīng)時(shí)間認(rèn)識上可能存在的誤區(qū),從而使讀者更好的認(rèn)識壓敏電阻和TVS。
    導(dǎo)電機(jī)理
    1. 氧化鋅壓敏陶瓷
    氧化鋅壓敏陶瓷是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、 經(jīng)電子陶瓷工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元件,具有非線性導(dǎo)電特性,是抑制過電壓、吸收浪涌能量、ESD防護(hù)的主要元件材料。
    氧化鋅壓敏陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)是由氧化鋅晶粒及晶界物質(zhì)組成的,其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質(zhì)而呈N型半導(dǎo)體,晶界物質(zhì)中含有大量金屬氧化物形成大量界面態(tài),這樣兩個晶粒和一個晶界(即微觀單元)形成一個類似背靠背雙向NPN結(jié),整個陶瓷就是由許多背靠背雙向NPN結(jié)串并聯(lián)的組合體。
    由于氧化鋅壓敏陶瓷晶界非常薄,僅有埃數(shù)量級,則當(dāng)施加電壓小于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí),屬于肖特基勢壘熱電子發(fā)射電導(dǎo),其導(dǎo)通電流與PN結(jié)勢壘及溫度有關(guān);當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓(3.2V)時(shí),屬于隧道電子擊穿導(dǎo)電,其導(dǎo)通電流只與所施加電壓有關(guān),隧道電子擊穿時(shí)間是幾十到百皮秒。
    壓敏電阻器的等效電路中:當(dāng)施加電壓小于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí),Rb遠(yuǎn)大于Rg,施加電壓幾乎全部加在晶界上,Rb>10M;
    當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí),晶界產(chǎn)生隧道電子擊穿導(dǎo)電,Rb遠(yuǎn)小于Rg,施加電壓加在晶粒和晶界上,Rg+Rb阻值只有歐姆級;
    因此當(dāng)外施電壓小于氧化鋅壓敏陶瓷晶界擊穿電壓(即壓敏電壓)時(shí),壓敏電阻呈現(xiàn)絕緣體高阻值,其漏電流僅有微安級;當(dāng)外施電壓大于氧化鋅壓敏陶瓷晶界擊穿電壓(即壓敏電壓)時(shí),壓敏電阻呈現(xiàn)導(dǎo)體低阻值,通過電流有幾十安培,而且外施電壓小幅提高,通過電流急速增長。
    片式氧化鋅壓敏電阻器是采用氧化鋅壓敏陶瓷材料,經(jīng)過電子陶瓷流延工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元件。
    由于片式氧化鋅壓敏電阻器可應(yīng)用于電子電源線路和數(shù)據(jù)傳輸線路中,因此被保護(hù)電路的工作電壓范圍較寬,同時(shí)數(shù)據(jù)線對其電容有特殊要求。通過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝調(diào)整(如層數(shù)和膜厚等),可以得到不同線路保護(hù)要求的壓敏電阻器。
    壓敏電阻,TVS管
    2、TVS管
    TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)或稱瞬變電壓抑制二極管是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新產(chǎn)品,其電路符號和普通穩(wěn)壓二極管相同,外形也與普通二極管無異,分為單向和雙向,具有非線性導(dǎo)電特性,用于線路抑制過電壓、ESD防護(hù)。
    目前TVS管PN結(jié)的反向擊穿電壓一般大于6V,當(dāng)施加電壓小于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí),屬于肖特基勢壘熱電子發(fā)射電導(dǎo),其導(dǎo)通電流與PN結(jié)勢壘及溫度有關(guān);當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓(6V)時(shí),屬于雪崩電子擊穿導(dǎo)電,其導(dǎo)通電流只與所施加電壓有關(guān),雪崩電子擊穿時(shí)間可達(dá)1~2ns。
    由于TVS管也是PN結(jié)微觀結(jié)構(gòu)。TVS管只有PN結(jié),無晶粒電阻,即Rg=0。因此當(dāng)施加電壓大于其反向PN結(jié)擊穿電壓時(shí),PN結(jié)雪崩電子擊穿導(dǎo)電,施加電壓主要加在PN結(jié)電阻Rb上,Rb阻值只有歐姆級,因此當(dāng)外施電壓大于TVS擊穿電壓(即壓敏電壓)時(shí),呈現(xiàn)導(dǎo)體低阻值,通過電流有幾十安培,而且隨著通過TVS電流急速增長,而TVS兩端電壓仍然很低(相對片式氧化鋅壓敏電阻器而言)。
    能量耗散對比以及對應(yīng)用表現(xiàn)的影響
    基于以上導(dǎo)通機(jī)理分析,當(dāng)片式TVS管兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時(shí),它能以納秒級時(shí)間使其PN結(jié)阻抗驟然降低,將其兩端間的電壓箝位在一個預(yù)定的數(shù)值上,從而確保后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊而損壞。由于TVS管內(nèi)部僅是雪崩PN結(jié)結(jié)構(gòu),在導(dǎo)通時(shí)TVS兩端呈現(xiàn)導(dǎo)體低阻值特性,從而限制電壓較壓敏電阻更低,在TVS上支路上的通流更大,該特性適合應(yīng)用于耐ESD電壓特別差或者被保護(hù)部位阻抗特別小的部位(如聽筒,MIC,音頻等)。但TVS無法吸收瞬間脈沖能量,只能將能量單方向傳導(dǎo)至線路的公用地線上,有可能對連接到該公共地的其他ESD敏感器件造成二次破壞。
    壓敏電阻內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)是無數(shù)個PN結(jié)和晶粒的串并聯(lián)結(jié)合體,可以吸收和傳導(dǎo)能量,當(dāng)線路中產(chǎn)生任何過電壓時(shí),壓敏電阻器迅速從兆歐級絕緣電阻變?yōu)闅W姆級的電阻,將過電壓抑制到較低的水平并吸收部分能量,因此壓敏電阻的吸收能量的能力比TVS管要強(qiáng),并且能防止ESD造成的瞬態(tài)EMI和二次破壞。壓敏電阻的特性特別適合于電源部位和較大瞬態(tài)能量的部位過壓防護(hù)。
    響應(yīng)時(shí)間
    作為過電壓保護(hù)元件,當(dāng)過電壓出現(xiàn)時(shí),保護(hù)元件從高阻值絕緣體變?yōu)榈碗娮鑼?dǎo)體、即將過電壓的峰值電壓大幅降低的時(shí)間,稱為過電壓保護(hù)元件的響應(yīng)時(shí)間。只有過電壓保護(hù)元件的響應(yīng)時(shí)間小于過電壓的上升時(shí)間,才具有過電壓的抑制功能。
    過電壓保護(hù)元件響應(yīng)時(shí)間是由元件材料及結(jié)構(gòu)決定的,當(dāng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中存在寄生電感、電容時(shí),除對保護(hù)元件響應(yīng)時(shí)間影響外,還會影響過電壓產(chǎn)生瞬間線路的振蕩過程。
    目前很多設(shè)計(jì)人員的意識里存在壓敏電阻響應(yīng)時(shí)間比TVS慢的誤區(qū),器件的響應(yīng)時(shí)間一般由材料和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)決定,下面對這兩個因素進(jìn)行分析。
    1、材料本征響應(yīng)時(shí)間
    由上面的導(dǎo)通機(jī)理分析可以知道,氧化鋅壓敏陶瓷導(dǎo)電機(jī)理是隧道擊穿,所以其材料響應(yīng)時(shí)間就是其隧道電子擊穿時(shí)間,一般為0.3ns。TVS管導(dǎo)電機(jī)理是雪崩擊穿,其響應(yīng)時(shí)間就是其雪崩電子擊穿時(shí)間,一般在0.5~1ns之間。
    2、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)對響應(yīng)時(shí)間影響
    片式氧化鋅壓敏電阻器采用多層獨(dú)石結(jié)構(gòu),其寄生電感非常小,對其響應(yīng)時(shí)間影響甚微,有些設(shè)計(jì)人員談到的壓敏電阻響應(yīng)時(shí)間慢主要指用于AC端防浪涌的插件壓敏電阻,因?yàn)檩^長的引線引入寄生的電感導(dǎo)致響應(yīng)時(shí)間較慢(25ns)。而TVS管為了SMT要求,在其兩端設(shè)計(jì)電極引線,也會產(chǎn)生寄生電感,對其響應(yīng)時(shí)間有一定影響。
    而ESD放電波形一般在1nS達(dá)到峰值,這就需要過電壓防護(hù)器件在1nS內(nèi)迅速響應(yīng),鉗制過電壓,保護(hù)IC和ESD敏感線路。從響應(yīng)時(shí)間看,片式壓敏電阻和TVS的響應(yīng)時(shí)間都滿足ESD防護(hù)的需求,從而起到良好的防護(hù)效果。
    綜合以上分析和對比,片式氧化鋅壓敏陶瓷電阻和TVS管均是抑制ESD的有效器件,TVS管限制電壓較低,瞬態(tài)內(nèi)阻較小,適合應(yīng)用于耐ESD電壓特別差或者被保護(hù)部位阻抗特別小的部位(如聽筒,MIC,音頻等)。而壓敏電阻的吸收能量的能力比TVS管要強(qiáng),除了一般的ESD防護(hù),也特別適合于電源部位和較大瞬態(tài)能量的部位過壓防護(hù)。在響應(yīng)時(shí)間方面,要避免陷入片式氧化鋅壓敏陶瓷電阻的響應(yīng)時(shí)間慢的誤區(qū)。由于工藝的差異,片式壓敏電阻的價(jià)格要遠(yuǎn)低于TVS,表現(xiàn)出良好的性價(jià)比,設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)電路的實(shí)際應(yīng)用靈活選擇片式壓敏電阻或者TVS。
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