MOS管和二極管,三極管的聯(lián)系和區(qū)別
聯(lián)系
MOS管和二極管、三極管三種管都是半導體器件，經(jīng)常在電器元件中同時出現(xiàn)。
1.二極管是將PN結(jié)加上相應的電極引線和管殼就成為半導體二極管。適用于高頻和小功率的工作，也用作數(shù)字電路中的開關元件。
2.三極管簡稱晶體管，分為NPN型和PNP型兩種，是最重要的一種半導體器件。它用于放大作用和開關作用。
3.MOS管也稱為場效應管，是一種較新型的半導體器件。外形與普通晶體管相似，但兩者的控制特性卻截然不同。
普能晶體管是電流控制元件，通過控制基極電流達到控制集電極電流或發(fā)射極電流的目的，到信號源必須提供一定的電流才能工作。MOS管則是電壓控制元件，它的輸出電流決定于輸入端電壓的大小，基本上不需要信號源提供電流，所以它的輸入電阻很高，這是它的突出特點。它廣泛應用于放大電路和數(shù)字電路。
MOS管和二極管,三極管的聯(lián)系和區(qū)別
區(qū)別
1、節(jié)能性：MOS管是電壓控制性器件，二極管三極管是電流控制性器件，因此MOS管更節(jié)能。
2、穩(wěn)定性：MOS管只有多數(shù)載流子參與導電，二極管三極管中多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與導電，因此MOS管熱穩(wěn)定性更好。
3、靈活性：MOS管靈活性比二極管三極管好。在工藝上MOS管更易于集成。MOS管導通時導通壓降?。ń咏?V，而三極管工作于放大狀態(tài)大于0.3V）。
4、本質(zhì)：二極管和三極管是電流控制元件，通過控制基極電流才能達到控制集電極電流或發(fā)射極電流的目。而MOS管是電壓控制元件，它的輸出電流決定于輸入端電壓的大小，基本上不需要信號源提供電流。
MOS管(場效應管)的導通壓降下，導通電阻小，柵極驅(qū)動不需要電流，損耗小，驅(qū)動電路簡單，自帶保護二極管，熱阻特性好，適合大功率并聯(lián)，缺點開關速度不高，比較昂貴。三極管開關速度高，大型三極管的Ic可以做的很大，缺點損耗大，基極驅(qū)動電流大，驅(qū)動復雜。
場效應管與三級管的比較：
（1）場效應管是電壓控制元件，而三級管是電流控制元件；
（2）場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱為單極性器件，而三級管既有多子，也有少子導電，稱之為雙極性器件
（3）場效應管靈活性比三級管好；
（4）場效應管的制造工藝更適合于集成電路。
MOSFET和雙極型三極管相類似，由FET組成的放大電路也和三極管放大電路相類似，三極管放大電路基極回路需要一個偏置電流(偏流)，而FET放大電路的場效應管柵極沒有電流，所以，F(xiàn)ET放大電路的柵極回路需要一個合適的偏置電壓(偏壓)。
FET組成的放大電路和三極管放大電路的主要區(qū)別在于：場效應管是電壓控制型器件，靠柵源之間的電壓變化來控制漏極電流的變化，放大作用以跨導來體現(xiàn)；三極管是電流控制型器件，靠基極電流的變化來控制集電極電流的變化，放大作用由電流放大倍數(shù)來體現(xiàn)。
場效應管放大電路分為共源、共漏、共柵極三種組態(tài)。在分析三種組態(tài)時，可與雙極型三極管的共射、共集、共基對照。
MOS管和二極管,三極管
二極管、三極管、MOS管都是最基本的電子元器件,在電路設計中使用廣泛。他們?nèi)呤峭耆煌娜N元器件,作用和使用方法完全不一樣。
二極管
二極管是由P型半導體和N型半導體構成的半導體器件,在P型半導體加正極,在N型半導體加負極后, PN結(jié)正偏使二極管導通,二極管的導通壓降在0.7-1.5V左右。PN結(jié)反偏后二極管截止,所以二極管具有導向?qū)щ娞匦浴６O管電路符號和直插實物圖如下所示。
利用二極管的單向?qū)щ娞匦?可以用作電源防接反、整流電路中，下圖是二極管在整流電路中的應用。
三極管
三極管是流控型的器件,有兩個PN結(jié),具有三個電極,分別是基極、發(fā)射極和集電極,具有三種工作狀態(tài)分別為截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。根據(jù)結(jié)構可以分為NPN型和PNP型。三極管的內(nèi)部結(jié)構和電路符號如下圖所示。
三極管即可以用于放大電路又可用于開關電路?？梢源罱ü舶l(fā)射極電路、共集電極電路和共基極電路等放大電路,也可以搭建成開關電路用于驅(qū)動繼電器、蜂鳴器等元器件。三極管所搭建的高頻小信號放大電路如下圖所示。
MOS管
MOS管是壓控型的器件,一般起到開關作用 ,具有NMOS和PMOS之分,有三個電極,分別是:漏極、源極和柵極。MOS管的內(nèi)部結(jié)構和電路符號如下圖所示。
MOS的耐壓和過電流能力做的比較大,經(jīng)常被用作功率器件,如BLDC電機驅(qū)動中就使用NMOS作為驅(qū)動器件。
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