種能源使用情況僅代表數據中心。其實,電信、工業(yè)自動化、汽車和許多其他系統也同樣需要提供高密度的電源系統。
提高電力傳輸效率的一種方法是利用包括氮化鎵(GaN)在內的新的能源半導體技術。與傳統的硅解決方案相比,GaN在開關性能方面具有本質上優(yōu)越的器件屬性,當它部署在開關電源中時,可高效供電,將效率提高到前所未有的高度。進而幫助最終用戶從根本上節(jié)約能源、降低操作成本并減少排放到大氣中的碳排放量。
GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過去,這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質量、可靠GaN的能力相關。然而,隨著整個行業(yè)制造工藝的改進和采用率的增加,挑戰(zhàn)逐漸集中到實施和系統設計上。要實現更高的效率,不僅需要用GaN替換硅,因為目前的技術已經能夠支持系統級別的改變,此舉大大提升了效率。技術賦予設計工程師提高壓擺率、開關頻率并把功耗降至更低的能力。這些新的設計挑戰(zhàn)為最終產品的創(chuàng)新及形成別具一格的特色提供了具有重要意義的機會。
圖1.比較GaN vs. Si 的設備損耗
GaN技術和解決方案的電源優(yōu)勢
GaN 提供更高效和性能卓越的電源,其中的原因是多方面的??焖倥郎龝r間、低導通電阻、低柵電容和輸出電容,無不降低了開關損耗,并支持以多種頻率工作,速度通常比當今硅基解決方案快一個數量級。如圖1 所示。更低的損耗等同于更高效的電源分布,這減少了發(fā)熱并精簡了實用冷卻方案。
另外,高頻工作對解決方案成本有積極影響,這是因為變壓器和電感器等必要磁元件的體積、重量和所需材料都有所減少。改進的FOM 實現了較低的RDS(ON)和較低的開關損耗。高效率和/或更高的開關頻率從GaN 內在優(yōu)勢獲益較多的應用是開關模式電源。 AC/DC 電源的目標是要把AC 線路電源轉化為較低電壓,為手機或個人計算機等低壓電氣設備供電或充電,而這通常通過幾個功率級實現。第一級是普通電源,包括供電AC 線路電源,它通過功率因數校正(PFC)級產生DC 總線高壓,通常為380 V。在第二級,該電壓經由高壓DC/DC 轉換器被轉換為低壓(一般是48V 或12 V)。這兩級被稱為交直流轉換級。它們一般被部署在一起并提供保護設備和人員的隔離措施。第二級轉換器輸出的12 V 或48 V 電壓,被分配給位于不同負載點(POL)的最終使用電路,例如設備柜內的不同電路板。第三級轉換器存在一或多個直流轉換器,可產生電子組件所需的低壓。
圖2.在電源的所有級中,GaN 解決方案能縮小規(guī)模,提高效率。
圖2中的示例顯示了1kW基于GaN的AC/DC,及GaN如何改進了PFC級、高壓DC/DC轉換器和POL級的功率密度。本示例最重要的一點不僅僅是使用了GaN,更重要的是它是如何使用的。目前我們仍然使用PFC、DC/DC和POL,但是它們的實施或使用的電源拓撲有所不同,經過優(yōu)化的電源拓撲可更大程度發(fā)揮GaN的性能。
PFC 級(圖3)使用高效率圖騰柱拓撲,從而實現獨一無二的高功率密度、高效率和低功耗組合,而類似的基于硅的設計卻無法做到這一點。與使用硅的傳統二極管橋式升壓PFC 相比,此級的效率超過99%,功耗降低10W 以上。
高壓DC/DC 級采用了高效的諧振邏輯鏈路控制(LLC)轉換器(圖 4)。雖然在LLC 轉換器中使用硅是很普遍的,但是GaN的優(yōu)點在于把功率密度提高了50%,將開關頻率提升了一個數量級。1-MHz 基于GaN 的LLC 要求變壓器尺寸比100-kHz基于硅的LLC 設計所采用的變壓器要小六分之一。
POL 級利用GaN 的高效開關屬性,使48 V 高效硬開關轉換器直接達到1 V。大多數硅解決方案需要中間第四級將48 V 轉換為12 V,但GaN 可實現真正的單級轉換,直接轉換為1 V。通過這種方式,基于GaN 的設計可將元件數量減少一半,并將功率密度提高三倍(圖5)。
圖3.GaN PFC 拓撲。
滿足一系列應用要求
GaN 的優(yōu)勢不僅限于AC/DC 電源。如圖6 所示的多種其他應用,也可從GaN 提供的更高效率和功率密度獲益。以下提及的最終設備或某些更令人興奮的領域都迅速提高了對GaN 的利用率。
圖4.GaN LLC 拓撲。
LiDAR
對寬度日益趨窄的要求,迅速使得GaN FET 和驅動器成為LiDAR 的必備元件,雖然LiDAR 也用于機器人、無人機、安防、地圖測繪和其他各種領域,但許多人更常將其與自動駕駛車輛的傳感聯系起來。下一代LiDAR 的要求包括更大范圍和更高分辨率以便提升儀器的能力,使其能夠感應更遠的距離和更高效地識別對象。GaN 的低輸入和高電容,以更短脈沖實現了更高的峰值輸出光功率,這在提高成像分辨率的同時保護了眼睛的安全。
圖5.兩個POL 級到單級。
高保真音響
高性能音響的功放要求近乎理想化的開關波形來減少失真,這是因為任何無用頻率的諧波都會導致人耳可聽頻帶。GaN 化解了這個問題,它能在高得多的壓擺率下高效開關,并且開關行為可預測性較高,極大減少了諧波失真,實現了更理想的音響性能,將噪音限制在更高的不可聽的頻帶內。
圖6.實際和潛在的GaN 應用領域。
通過GaN 設計最佳解決方案
由于高頻電源系統設計帶來了新的挑戰(zhàn),即使老練的電源設計師也要經受考驗,但如果有現成的解決方案就可以顯著縮短設計周期。TI 供應完整的電源級產品,可幫助設計師把問題大大簡化。我們現有的解決方案能夠滿足電源供應鏈中不同的電壓水平和需求,這些解決方案在小巧的低電感封裝內集成了內置保護功能。另外,TI 的GaN FET 驅動器和可以與該驅動器無縫配對的高頻模擬與數字控制器,共同有力支持了利用基礎元件構建電源系統的設計師。
圖8 所示LMG3410 是單通道電源級,它在同一個模塊中組合了一個70 mΩ、600 V GaN FETs 和一個經過優(yōu)化的驅動器,通過獨立的組件把影響高速設計的寄生效應降至更低。內置功能提供溫度、電流和欠壓鎖定(UVLO)故障保護,保證了安全可靠的操作。
對于需要小尺寸高效工作的應用設計人員,圖9 所示的LMG5200 是完全集成化的半橋電源級,它提供的80-V、10-A解決方案包括半橋柵極驅動器及高側和低側GaN FET。LMG5200 直接與模擬控制器(如TI 的TPS53632G,用于DC/DC轉換應用)和數字控制器(如TI 的C2000TMTM 實時微控制器,用于音響和電機控制應用)對接。
在簡化設計的過程中,幾乎與產品本身同等重要的是一整套開發(fā)工具。評估模塊(EVM)有助設計師了解解決方案的運作情況和制定重要決策。參考設計則提供可靠的現成電路,可用于雷達、汽車、不間斷電源(UPS)、電機控制、電流測量和其他領域的應用中。我們對所有領域的深度支持能夠幫助客戶設計出盡可能高效的GaN 電源系統。
圖7.GaN 逆變器。100kHz 3 級設計。
今天的GaN 立足于未來
GaN 技術已經在縮減系統規(guī)模和提高電源效率方面扮演著重要角色。該技術實現的節(jié)省對所有應用都有重要影響,尤其是據中心、基站和其他高密度系統。另外,GaN 的高頻運行有助進行精確的電機控制和為LiDAR 及音響應用提供更高分辨率。隨著創(chuàng)新拓撲和新方法的發(fā)明與應用,其他類型的應用也將快速跟進。
因而電源系統設計師不必再等待GaN 革命的爆發(fā)。GaN 解決方案就在今天,TI 在竭力并持續(xù)推動這項技術的創(chuàng)新,我們在不斷開發(fā)更先進的技術。集成化解決方案節(jié)約了開發(fā)時間并且可以隨時利用,同時我們針對廣泛應用的參考設計也在穩(wěn)步增加。當下對電源效率的需求越來越緊迫,TI 技術和解決方案繼續(xù)保持領先的創(chuàng)新,幫助世界變得更智能、更環(huán)保。
圖8.LMG3410:600V/70 mΩ 12A GaN 電源級。
相關資源:
● TI 的LMG3410 和LMG5200 GaN 解決方案
● TPS53632G 產品文件夾
● TMS320C2000 C2000TM 實時 MCUs
● 白皮書:GaN 和SiC 支持實現更高效率的電源
圖9.LMG5200:80 V/10 A GaN 半橋電源級。
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