本文主要講MOS管損毀原因,會從4個方面來講。希望對大家有所幫助。MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
1、MOS管損毀原因-在電源電壓方面
1)、過流-------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀;
2)、過壓-------源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿;
3)、靜電-------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電;
2、MOS管損毀原因-在MOS管電源電壓方面
1)、漏源電壓過大,MOS管燒壞?,F(xiàn)象:MOS管D、S兩端短路;
2)、漏源電流過大,MOS管燒壞?,F(xiàn)象:MOS管D、S兩端短路;
3)、柵源電壓過大,MOS管燒壞?,F(xiàn)象:MOS管G、D、S短路;
3、MOS管損毀原因-其他方面
1)、堵轉(zhuǎn)會使電機感應電動勢升高,使電機電流大增過流保護太遲鈍;
2)、同時導通;
3)、功率過大;
4)、散熱不足;
5)、頻率太高;
6)、MOS管內(nèi)阻未充分考慮,導致開關阻抗增大;
4、MOS管損毀原因-會對MOS管造成的影響
1)、MOS管吸附灰塵,改變線路間的阻抗,影響MOS管的功能和壽命。
2)、因電場或電流破壞元件絕緣層和導體,使MOS管不能工作(完全破壞)。
3)、因瞬間的電場軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱,使MOS管受傷,雖仍能工作,但是壽命受損。
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