在節(jié)能環(huán)保趨勢的推動下，絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）近幾年已經成為半導體行業(yè)的耀眼明星，廣泛應用于軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域。
在新能源汽車的控制系統(tǒng)中，IGBT約占整車成本的7-10%，是電池之外成本第二高的元器件，也是決定整車能源效率的關鍵組件，主要用于電機驅動、發(fā)電機、空調部分。在直流充電樁中，IGBT占原材料成本的30%；而電力機車一般需要500個IGBT模塊，動車組需要超過100個IGBT模塊，一節(jié)地鐵需要50-80個IGBT模塊。
IGBT晶體管結構特點
從結構看，IGBT的輸入端為MOSFET結構，輸出部分為BIPOLAR結構，屬于MOSFET和BIPOLAR的復合體，既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件，同時也是兼顧低飽和電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。只不過，BIPOLAR適用于中速開關，MOSFET則適用于高頻領域，IGBT開關特性遜于功率MOSFET。
功率元器件的基本結構與特點
作為一種功率半導體元器件，IGBT在電路中的功能相當于一個用電壓控制的電子開關，表現(xiàn)出高耐壓、小飽壓降，以及節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點，用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電場合。
使用時，一般通過脈沖寬度調制（PWM）的方式控制IGBT開關，將電流從DC轉換到AC（電池到電機，驅動電機）或者從AC轉化到DC（電機到電池，剎車、下坡時能量回收），給負載使用。因此，IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的CPU。
IGBT應用優(yōu)勢
IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。其中，空心塑殼封裝，與空氣的隔絕材料是高壓硅脂或者硅脂，以及其他可能的軟性絕緣材料。IGBT器件采用同一個制造商、同一技術系列的產品，IGBT模塊的技術特性與同等規(guī)格的IGBT單管基本相同。
功率半導體的應用范圍
IGBT模塊的主要優(yōu)勢有以下幾個：
（1）多個IGBT芯片并聯(lián)，IGBT的電流規(guī)格更大。
（2）多個IGBT芯片按照特定的電路形式組合，如半橋、全橋等，可以減少外部電路連接的復雜性。
（3）多個IGBT芯片處于同一個金屬基板上，等于是在獨立的散熱器與IGBT芯片之間增加了一塊均熱板，工作更可靠。
（4）一個模塊內的多個IGBT芯片經過了模塊制造商的篩選，其參數(shù)一致性比市售分立元件要好。
（5）模塊中多個IGBT芯片之間的連接與多個分立形式的單管進行外部連接相比，電路布局更好，引線電感更小。
（6）模塊的外部引線端子更適合高壓和大電流連接。同一制造商的同系列產品，模塊的最高電壓等級一般會比IGBT單管高1-2個等級，如果單管產品的最高電壓規(guī)格為1700V，則模塊有2500V、3300V乃至更高電壓規(guī)格的產品。
IGBT技術關鍵
IGBT目前已經發(fā)展到7.5代，第7代由三菱電機在2012年推出，三菱電機目前的水平可以看作7.5代，同時IGBT的下一代SiC技術已經在日本全面普及，無論三菱這樣的大廠還是Fuji、Rohm這樣的小廠都有能力輕松制造出SiC元件，我國目前停留在第三代水平上，差距在20年以上。
IGBT技術關鍵發(fā)展節(jié)點
IGBT的關鍵有兩點，一是散熱，二是背板工藝。
IGBT的正面工藝和標準BCD的LDMOS沒區(qū)別，區(qū)別在背面，背面工藝有幾點，首先是減薄，大約需要減薄6-8毫米，減得太多容易碎片，減得太少沒有效果。接下來是離子注入，注入一層薄磷做緩沖層，第四代需要兩次注入磷，本來硅片就很薄了，兩次注入很容易碎片。然后是清洗，接下來金屬化，在背面蒸鍍一層鈦或銀，最后是Alloy，因為硅片太薄，很容易翹曲或碎片。英飛凌特別擅長減薄技術。
自第六代以后，IGBT自身的潛力已經挖掘的差不多了，大家都把精力轉移到IGBT的封裝上，也就是散熱。這主要有四點：
第一，就是提高IGBT模塊內部的導熱導電性能、耐受功率循環(huán)的能力，IGBT模塊內部引線技術經歷了粗鋁線鍵合、鋁帶鍵合再到銅線鍵合的過程，提高了載流密度。
第二，新的焊接工藝，傳統(tǒng)焊料為錫鉛合金，成本低廉、工藝簡單，但存在環(huán)境污染問題，且車用功率模塊的芯片溫度已經接近錫鉛焊料熔點（220℃）。解決該問題的新技術主要有：低溫銀燒結技術和瞬態(tài)液相擴散焊接。與傳統(tǒng)工藝相比，銀燒結技術的導熱性、耐熱性更好，具有更高的可靠性。
瞬態(tài)液相擴散焊接通過特殊工藝形成金屬合金層， 熔點比傳統(tǒng)焊料高，機械性能更好。三菱則使用超聲波焊接。
第三，改進DBC和模塊底板，降低散熱熱阻，提高熱可靠性，減小體積，降低成本等。以AlN和AlSiC等材料取代DBC中的Al2O3和Si3N4等常規(guī)陶瓷，熱導率更高，與Si材料的熱膨脹系數(shù)匹配更好。此外，新型的散熱結構，如Pin Fin結構和Shower Power結構， 能夠顯著降低模塊的整體熱阻，提高散熱效率。
第四，就是擴大模塊與散熱底板間的連接面積，如端子壓接技術。
IGBT的應用領域
在新一代IGBT產品中，SiC（碳化硅）技術已經嶄露頭角，這是提高新能源汽車效率最有效的技術，效率提高可達10%，其功效“與汽油發(fā)動機同等重要。”雖然價格是傳統(tǒng)Si產品的6倍，SiC型IGBT在新能源汽車和智能網聯(lián)汽車中的作用卻越來越重要。預計在新能源汽車領域示范應用后，SiC型IGBT將很快推廣到其他工業(yè)和消費應用中。
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