MPS提供可擴(kuò)展的均流電子熔絲解決方案，內(nèi)置MOSFET（場效應(yīng)晶體管），電流和溫度檢測，軟啟動斜坡控制和保護(hù)功能。
在典型的熱插拔或電子保險絲（電子保險絲）應(yīng)用中，在選擇MOSFET（場效應(yīng)晶體管）時必須非常小心，以確保在軟啟動（SS）轉(zhuǎn)向期間不超過器件的安全工作區(qū)（SOA） - 上。即使多個MOSFET并聯(lián)，軟啟動條件也會產(chǎn)生大量的熱應(yīng)力。
通常，在熱插拔和電子熔絲應(yīng)用中使用分立MOSFET時，假設(shè)只有一個MOSFET-場效應(yīng)晶體管傳導(dǎo)整個軟啟動電流。這是由于每個MOSFET的柵極閾值電壓的變化。因此，即使可能存在多個并聯(lián)的MOSFET，所有功率損耗都在一個器件中。這需要過大的MOSFET額定值和封裝尺寸，從而推動PCB面積。對于典型的熱插拔/電子熔斷器應(yīng)用，需要精密電流檢測電阻和控制器來提供SS時序，溫度保護(hù)和過流保護(hù)（OCP）。
的MPS MP5921提供了一個簡單且可堆疊的積木一個創(chuàng)新的熱插拔/ e熔絲應(yīng)用。MP5921具有內(nèi)置MOSFET（場效應(yīng)晶體管），電流檢測，溫度檢測，軟啟動斜坡控制和高級保護(hù)功能。采用先進(jìn)的單片工藝，可實現(xiàn)熱插拔和電子熔絲解決方案的用戶友好型實現(xiàn)（圖1）。
圖1：熱插拔/電子熔絲應(yīng)用組件。
MP5921采用先進(jìn)的單片工藝，在軟啟動過程中主動監(jiān)控和驅(qū)動內(nèi)部MOSFET，以確保MOSFET的SOA。利用這種單片工藝，MP5921可以精確測量流經(jīng)內(nèi)部MOSFET的電流。
由于能夠監(jiān)控通過內(nèi)部MOSFET的電流，并聯(lián)連接的多個MP5921器件可在軟啟動條件下主動平衡流經(jīng)每個器件的電流。這可確保每個器件均等地承載軟啟動電流，并且沒有一個器件承載完整的軟啟動負(fù)載電流。由于軟啟動電流在器件之間平行平衡，因此極大地降低了違反MOSFET的SOA的風(fēng)險，并且熱能更均勻地分布在PCB上。
圖2顯示了在帶DC負(fù)載的軟啟動期間并聯(lián)的三個MP5921器件的電流共享。并聯(lián)的所有三個器件均勻地共享軟啟動負(fù)載電流。
圖2：三個并聯(lián)的MP5921器件。
如果將各個電流的走線設(shè)置在同一原點上，則可以看出它們完全重疊（圖3）。
圖3：具有相同原點的電流。
MP5921可以擴(kuò)展，以支持熱插拔和電子熔絲解決方案所需的任何電流范圍。MP5921的額定電流為60 A，采用4 x 5 mm封裝，提供極其密集的熱插拔/電子熔斷器解決方案。每個MP5921都具有內(nèi)置保護(hù)功能，可監(jiān)控?fù)p壞的MOSFET，內(nèi)部MOSFET的過溫情況，軟啟動看門狗定時器和過流保護(hù)。
MP5921還具有內(nèi)置短路保護(hù)（SCP）功能，可在短時間檢測的200 ns內(nèi)禁用內(nèi)部MOSFET。這種快速禁用功能可防止在發(fā)生輸出短路的PCB上產(chǎn)生大量電流。
MP5921為空間關(guān)鍵型設(shè)計提供了強(qiáng)大且用戶友好的解決方案，可擴(kuò)展以滿足所有類型的熱插拔/電子熔斷器應(yīng)用的設(shè)計要求。
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