什么是FET（場效應晶體管）
FET，也稱為單極晶體管，是用于控制器件電性能的晶體管。
FET具有非常高的輸入阻抗（在JFET的情況下為100兆歐姆，在MOSFET的情況下為10 4至10 9兆歐），普通晶體管的主要缺點即輸入阻抗低，從而加載了信號源在FET中。因此，F(xiàn)ET是幾乎在每種可以使用晶體管的應用中使用的理想器件。FET由于其高輸入阻抗而被廣泛用作示波器，電子電壓表和其他測量和測試設備中的輸入放大器。
1. 由于FET芯片與BJT芯片相比占據(jù)非常小的空間，因此FET廣泛用于IC中。
2. FET用作運算放大器（運算放大器）和音調控制等中的電壓可變電阻器（WR），用于FM和TV接收器以及邏輯電路中的混頻器操作。
3. FET通常用于數(shù)字開關電路，盡管它們的工作速度較低。
FET - 場效應晶體管的應用
1. 低噪聲放大器
噪聲是對有用信號施加的不良干擾。噪聲干擾信號中包含的信息; 噪音越大，信息越少。例如，無線電接收器中的噪聲會產(chǎn)生噼啪聲和嘶嘶聲，有時會完全掩蓋聲音或音樂。同樣，電視接收器中的噪聲會在圖像上產(chǎn)生小的白色或黑色斑點; 嚴重的
噪音可能會消滅圖片。噪聲與信號強度無關，因為它甚至在信號關閉時也存在。
每個電子設備都會產(chǎn)生一定的噪音，但FET是一種噪音很小的設備。這在接收器和其他電子設備的前端附近尤為重要，因為后續(xù)階段會隨信號放大前端噪聲。如果在前端使用FET，我們在最終輸出時獲得的放大噪聲（干擾）較少。
2.緩沖放大器
緩沖放大器框圖
緩沖放大器是一個放大階段，它將前一階段與后一階段隔離開來。源跟隨者（普通排水）是。用作緩沖放大器。由于高輸入阻抗和低輸出阻抗，F(xiàn)ET可作為優(yōu)秀的緩沖放大器，如圖所示。由于高輸入阻抗，前一級的幾乎所有輸出電壓都出現(xiàn)在緩沖放大器的輸入端，并且由于低輸出阻抗，緩沖放大器的所有輸出電壓都達到了下一級的輸入，即使可能很小負載電阻。
3.共源共柵放大器
使用FET的共射共基放大器的電路圖如圖所示。共源極放大器驅動其中的共柵極放大器。
共源共柵放大器電路
共源共柵放大器具有與共源（CS）放大器相同的電壓增益。共源共柵連接的主要優(yōu)點是其低輸入電容，遠小于CS放大器的輸入電容。它具有高輸入電阻，這也是一個理想的特性。
4.模擬開關
FET作為模擬開關如圖所示。當沒有柵極電壓施加到FET，即V GS= 0時，F(xiàn)ET變得飽和并且它表現(xiàn)得像一個通常小于100歐姆的小電阻，因此，輸出電壓變得等于
V OUT = {R DS /（R D + R DS（ON））} * V in
JFET-結型場效應晶體管模擬開關
由于R D與R DS 0N相比非常大，因此V out可以等于零。
當向柵極施加等于V GS（OFF）的負電壓時，F(xiàn)ET在截止區(qū)域中工作，并且其作用通常為幾兆歐的非常高的電阻。因此輸出電壓幾乎等于輸入電壓。
5.斬波器
通過省去耦合和旁路電容并將每級輸出直接連接到下一級輸入，可以構建直接耦合放大器。因此，耦合直流電以及交流電。這種方法的主要缺點是漂移的發(fā)生，供電晶體管產(chǎn)生的最終輸出電壓的緩慢變化以及溫度變化。
通過采用如圖所示的斬波放大器可以克服漂移問題。
斬波放大器
(a).這里輸入的直流電壓由開關電路截斷。斬波器的輸出為方波交流信號，其峰值與輸入直流電壓V DC相等。這種交流信號可以被傳統(tǒng)的交流放大器放大，沒有任何漂移的問題。放大后的輸出可以“峰值檢測”，以恢復放大后的直流信號。
方波應用于FET模擬開關的柵極，使其像斬波器一樣工作，如另一幅圖所示。柵極方波是從0 V到至少V GS（關閉）的負向擺動- 這交替地使JFET飽和并切斷。該輸出電壓是交替地從+V DC變化到零伏的方波。
如果輸入信號是低頻交流信號，它會被切入交流波形，如上圖（c）所示?，F(xiàn)在可以通過無漂移的交流放大器放大該斬波信號。然后可以對放大的信號進行峰值檢測以恢復原始輸入的低頻交流信號。因此，可以通過使用斬波放大器來放大直流和低頻交流信號。
6. 多路復用器
FET-場效應晶體管多路復用器
一個模擬多路復用器，該操縱輸入signalsÂ到輸出線中的一個的電路，示出在圖中。在該電路中，每個JFET都用作單刀單擲開關。當控制信號（V vV 2和V 3）比V GS（0FF）更負時，所有輸入信號都被阻止。通過使任何控制電壓等于零，可以將其中一個輸入傳輸?shù)捷敵觥＠?，當V x為零時，在輸出端獲得的信號將是正弦的。類似地，當V 2為零時，在輸出處獲得的信號將是三角形并且當V 3時為零，輸出信號為方波1。通常，只有一個控制信號為零。
7. 限流器
JFET-結型場效應晶體管限流器
JFET限流電路如圖所示。因此，幾乎所有的電源電壓都出現(xiàn)在負載上。當負載電流試圖增加到過高水平時（可能是由于短路或任何其他原因），過大的負載電流迫使JFET進入有源區(qū)，在那里它將電流限制在8mA。JFET現(xiàn)在充當電流源并防止過大的負載電流。
制造商可以將柵極連接到源極并將JFET封裝為雙端子器件。這就是恒流二極管的制造方法。這種二極管也稱為電流調節(jié)二極管。
8.相移振蕩器
FET-場效應晶體管相移振蕩器
JFET可以提供放大動作以及反饋動作。因此，它可以很好地用作相移振蕩器。FET的高輸入阻抗在相移振蕩器中尤其有價值，以便最小化負載效應。采用N溝道JFET的典型相移振蕩器如圖所示。
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