可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來(lái)作高電壓和高電流的控制．可控硅器件主要用在開(kāi)關(guān)方面，使器件從關(guān)閉或是阻斷的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為開(kāi)啟或是導(dǎo)通的狀態(tài)，反之亦然．我們已經(jīng)討論過(guò)雙極型晶體管的開(kāi)關(guān)特性，利用基極電流驅(qū)動(dòng)晶體管和MOS管，從截止模式轉(zhuǎn)變?yōu)轱柡湍Ｊ降拈_(kāi)啟狀態(tài)，或是從飽和模式轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂鼓Ｊ降年P(guān)閉狀態(tài)，可控硅器件的工作與雙極型晶體管有密切的關(guān)系，二者的傳導(dǎo)過(guò)程皆牽涉到電子和空穴，但可控硅器件的開(kāi)關(guān)機(jī)制和雙極型晶體管是不同的，且因?yàn)槠骷Y(jié)構(gòu)不同，可控硅器件有較寬廣范圍的電流、電壓控制能力，現(xiàn)今的可控硅器件的額定電流可由幾毫安(mA)到超過(guò)5 000A;而額定電壓更超過(guò)10000V.我們先討論基本可控硅器件的工作原理，然后討論一些高功率和高頻率的可控硅器件.
基本特性
圖5. 22(a)是一可控硅器件的橫截面示意圖，是一個(gè)四層p-n-p-n器件，其中有三個(gè)串接的p-n結(jié)：J1、J2、J3與接觸電極相連的最外一層p層稱(chēng)為陽(yáng)極，另一邊的n層稱(chēng)為陰極.這個(gè)沒(méi)有額外電極的結(jié)構(gòu)是個(gè)兩端點(diǎn)的器件，被稱(chēng)為p-n-p-n二極管．若另一稱(chēng)為柵極的電極被連到內(nèi)層的p層(p2)，所構(gòu)成的三端點(diǎn)器件‘被稱(chēng)為半導(dǎo)體控制整流器或可控硅器件
圖5. 22(b)是一典型的可控硅器件摻雜濃度分布圖，首先選一高阻值的n型硅片起始材料（n層），再以一擴(kuò)散步驟同時(shí)形成p1和p2層，最后用合金或擴(kuò)散，在的一邊形成n2層，圖5.22(c)是可控硅器件在熱平衡狀態(tài)下的能帶圖，其中每一個(gè)結(jié)都盡層，其內(nèi)建電勢(shì)由摻雜濃度決定，
圖5. 23表示基本的p-n-p-n二極管電流—電壓特性，其展現(xiàn)出五個(gè)不同的區(qū)域：
(o)—(1)：器件處于正向阻斷或是關(guān)閉狀態(tài)，具有很高的阻抗；正轉(zhuǎn)折（或開(kāi)關(guān)）發(fā)牛于dV/dl=o；在點(diǎn)l定義正向轉(zhuǎn)折電壓VBF和開(kāi)關(guān)電流Is．
(1)—(2)：器件處于負(fù)電阻區(qū)域，也就是電流隨電壓急驟降低而增加．
(2)—(3)：器件處于正向?qū)ɑ蜷_(kāi)啟狀態(tài)，具有低阻抗，在點(diǎn)2處dV/dI=O，定義保持電流Ih和保持電壓(holding voltage) Vh.
(o)—(4)：器件處于反向附斷狀態(tài)。
(4)—(5)：器件處于反向擊穿狀態(tài)，
因此，p-n-p-n二極管在正向區(qū)域是個(gè)雙穩(wěn)態(tài)器件，以由高阻抗低電流的關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)換到低阻抗高電流的開(kāi)啟狀態(tài)，反之亦然，
要想了解正向阻斷特性，我們應(yīng)先將此器件視為以特殊方式連接在一起的一個(gè)p- n-p晶體管和n-p-n晶體管，如圖5.24所示，它們的基區(qū)各自連接到對(duì)方的集電區(qū)，由式(3)和式(10)所表示射、集、基極的電流關(guān)系和直流共基電流增益，p-n-p晶體管（晶體管I，電流增益a1）的摹極電流為
其中I1是晶體管1的漏電流ICBO，此基極電流是由n-p-n晶體管（晶體管2，電流增益a2）的集電極所供應(yīng)．n-p-n晶體管的集電極電流可寫(xiě)為
其中I2是晶體管2的漏電流ICBO，由于IB1等于Ic2，可得出
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