MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導體，描寫了集成電路中的構造，即：在必然構造的半導體器材上，加上二氧化硅和金屬，構成柵極。這兩種型態(tài)的構造沒有太大的差異，僅僅耗盡型MOS一開始在Drain-Source的通道上就有載子，所以即便在VGS為零的情況下，
供應應設計者一種高速度、高功率、高電壓、與高增益的元件。有些場效應管的源極和漏極能夠交流運用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。
能在很小電流和很低電壓的條件下功課，而且它的制造技能能夠很方便地把許多場效應管集成在一塊硅片上，因而場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的運用。它作用特征:開關速度快、高頻任性能好，輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)異、無二次擊穿標題、全功課區(qū)寬、功課線性度高等等，其最主要的利益就是能夠減少體積巨細與分量，
MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強型（EnhancementMOS）。
耗盡型MOS仍能夠導通的。 MOS管的source和drain是能夠對調的，都是在P型backgate中構成的N型區(qū)。
MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。
由于場效應管拓展器的輸入阻抗很高，因而耦合電容能夠容量較小，不必運用電解電容器。在各類中小功率開關電路中運用極為廣泛，能夠用作可變電阻也可運用于拓展。
且MOS場效應管很高的輸入阻抗十分適協(xié)作阻抗變換。能夠方便地用作恒流源也能夠用作電子開關。常用于多級拓展器的輸入級作阻抗變換。而增強型MOS則必須在其VGS大於某一特定值才調導通。
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