結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。目前在絕緣柵型場效應管中,應用最為廣泛的是MOS場效應管,簡稱MOS管(即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管,以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。 場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。
場效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。按溝道半導體材料的不同,結型和絕緣柵型各分溝道和MOS管P溝道兩種。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子介入導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子介入導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等長處,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強盛競爭者。結型場效應管(JFET)因有兩個PN結而得名,絕緣柵型場效應管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。若按導電方式來劃分,場效應管又可分成耗盡型與增強型。
MOS場效應晶體管因為輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,使用時應留意以下規(guī)則:
(1). MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。
(2).掏出的MOS器件不能在塑料板上滑動,應用金屬盤來盛放待用器件。
(3).MOS器件出廠時通常裝在玄色的導電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起,或用錫紙包裝MOS場效應晶體管在使用時應留意分類,不能隨意互換。
(4). 焊接用的電烙鐵必需良好接地。在檢驗電路時應留意查證原有的保護二極管是否損壞。
(7). MOS場效應晶體管的柵極在答應前提下,最好接入保護二極管。
(5). 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接,再MOS器件焊接完成后在分開。拆機時順序相反。
(6).電路板在裝機之前,要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子,再把電路板接上去。
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