場效應管的作用：

場效應管是場效應晶體管（Field Effect Transistor,FET）的簡稱。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬、受溫度和輻射影響小等優(yōu)點，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現已成為普通晶體管的強大競爭者。

三極管和場效應管的主要區(qū)別在于三極管的放大或者開關功能依賴基極的電流分量。場效應管的放大和開關功能依賴于柵極的電壓分量。其他還有開關時間特性的區(qū)別，一般晶體三極管大電流的開關速度遠比不上場效應管。

三極管是靠載流子的運動來工作的，以npn管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴散運動，在此pn結處會感應出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場（即內建電場），當基極外加正電壓的指向為基區(qū)指向發(fā)射區(qū)，當基極外加電壓產生的電場大于內建電場時，基區(qū)的載流子（電子）才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū)，此電壓的最小值即pn結的正向導通電壓（工程上一般認為0.7v）。但此時每個pn結的兩側都會有電荷存在，此時如果集成電極-發(fā)射極加正電壓，在電場作用下，發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運動（實際上都是電子的反方向運動），由于基區(qū)寬度很小，電子很容易越過基區(qū)到達集電區(qū)，并與此處的PN的空穴復合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運動，而空穴則為pn結處運動，此過程類似一個雪崩過程。集電極的電子通過電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。三極管工作時，兩個pn結都會感應出電荷，當做開關管處于導通狀態(tài)時，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時三極管截至，pn結感應的電荷要恢復到平衡狀態(tài)，這個過程需要時間。

總結：

1．MOSFET溫度穩(wěn)定性好，而三極管受溫度影響較大，因此環(huán)境溫度變化較的場合下，采用MOSFET更合適。

2．用來放大信號時，三極管輸入端的發(fā)射結為正向偏置。輸入阻抗較小。而MOSFET輸入阻抗極高，因此MOSFETＴ放大級對前級的放大能力影響極小。

3．MOSFET的輸入電阻極高，所以一旦柵極上感應少量電荷。就管。因此使用ＭＯＳ管時要特別小心。尤其是焊接ＭＯＳ管時，電烙鐵外殼要良好接地。管子存放時，應使ＭＯＳ管柵極與源極短接，避免柵極懸空。

4．三極管由于發(fā)射區(qū)和集電區(qū)結構上的不對稱，所以正常使用時．發(fā)射極和集電極是不能互換的。而MOSFET在結構上是對稱的。所以源極和漏極可以互換使用。但要注意。分立的MOSFET．有時已將襯底和源極在管內短接，源極和漏極就不能互換使用了。

5．場效應管放大電路最大最突出的特點是．共源、共漏和共柵電路的輸入電阻高于相應的共發(fā)射極、共集電極和共基極電路的輸入電阻。此外，場效應管還有噪聲低、溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強等優(yōu)于三極管的特點，而且便于集成。

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