因?yàn)镹MOS耗盡管的閾值電壓為負(fù)值,并且具有負(fù)溫度系數(shù),因此由式(1)可知,耗盡管電流隨溫度上升而變大。同時(shí)將該輸出接到基準(zhǔn)電源第二級電路中M2管的柵極,減弱了該點(diǎn)隨電源電壓的變化,從而有效地進(jìn)步了基準(zhǔn)輸出真?zhèn)€電源按捺特性。
(1)溫度系數(shù)。該電流就是通過增強(qiáng)管M6的電流。
。為了獲得較好的電源按捺特性,可以將圖1的基準(zhǔn)單元進(jìn)行級聯(lián)排列,如圖2所示。
(1)可以產(chǎn)生較低基準(zhǔn)電壓。
在此分析先容了一種低功耗基準(zhǔn)電壓源電路的設(shè)計(jì)方案,該電路的最大功耗小于1μW,溫度系數(shù)為21ppm/℃;同時(shí)因?yàn)殡娐方Y(jié)果較簡樸,易于集成,已經(jīng)用于電池充電保護(hù)芯片。
(2)基準(zhǔn)電壓的電源按捺比。從可以看到基準(zhǔn)電壓從-40℃的0.96332V變化到30℃時(shí)的0.96235V,因此該基準(zhǔn)的溫度系數(shù)為(ppm/℃):
該電路采用CSMC公司0.6/μm的工藝,仿真使用49級模型,得到以下結(jié)果:
M1,M2,M4為耗盡管,M5,M6為增強(qiáng)管。
M4管柵源極相連充當(dāng)恒流源,因?yàn)樵摴荛L度設(shè)置得較大,因而對應(yīng)的等效電阻很大,流過的靜態(tài)電流很小,一般只有幾百納安。仿真是在輸入電壓4.0V,溫度為-40~+100℃的前提下進(jìn)行的。對于增強(qiáng)型MOS管,閾值電壓隨溫度的升高而下降;對于耗盡型MOS管,閾值電壓為負(fù),其閾值電壓的溫度系數(shù)與增強(qiáng)型相反。利用增強(qiáng)型MOS管閾值電壓的負(fù)溫度系數(shù)和耗盡管閾值電壓的正溫度系數(shù)產(chǎn)生一個(gè)精度很高的基準(zhǔn)電壓。與一般的1.2V基準(zhǔn)電壓比擬,電路結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生更低的基準(zhǔn)電壓。其中,M1和M5為第一級電路,M2,M4,M6為二級電路,一級與二級電路間的聯(lián)系關(guān)系不大。通過設(shè)計(jì)M1和M5管的寬長比可以獲得一個(gè)比基準(zhǔn)更小的偏置電壓。
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改進(jìn)電路結(jié)構(gòu)及原理
(3)無需額外的啟動電路。而M4管的柵極電壓始終為0,并且M6管屬于二極管連接,因此系統(tǒng)上電后,必定有從電源到地的直暢通流暢路,所以不需要額外的啟動電路匡助系統(tǒng)掙脫靜態(tài)電流為0的簡并狀態(tài)?;鶞?zhǔn)電壓的線性調(diào)整率特性曲線。
圖1所示基準(zhǔn)電壓源具有靜態(tài)電流小,無需額外啟動電路等長處,但其電源按捺比特性不是很好。其中,M4為耗盡管,M6為增強(qiáng)管。
這種結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)電壓源具有以下長處:
因?yàn)樵鰪?qiáng)管M6的閾值電壓具有負(fù)溫度系數(shù),而通過該管的電流具有正溫度系數(shù),因此通過公道設(shè)置M4,M6的寬長比就能在室溫下獲得比較恒定的基準(zhǔn)電壓。在MOS管測試耗盡型晶體管為常通型晶體管,只有當(dāng)柵極所加電壓超過其閾值電壓時(shí),mOS管子才會關(guān)斷。在25℃時(shí),基準(zhǔn)電壓從輸入電壓2.5V對應(yīng)的1.027
952 V變化到輸入電壓5.5 V對應(yīng)的1.027 982
V,其線性調(diào)整率為:
從可以看到,假如沒有增加M2,低頻時(shí)的PSRR只有-90dB,高頻時(shí)則大約為-75dB,電源按捺比的特性不是很好;假如增加了M2管,低頻時(shí)的PSRR為-120dB,高頻時(shí)也能控制在-90
dB內(nèi),電源按捺比得到了極大的進(jìn)步??梢钥吹?,基準(zhǔn)電壓的線性調(diào)整率隨溫度的上升而減小。從圖1中可以看出,M4柵源極相連后,流過該管的電流為:
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基準(zhǔn)電壓源的結(jié)構(gòu)與工作原理
一般基于自偏置的基準(zhǔn)電路,因?yàn)镸OS管工作在飽和區(qū),其工作電流一般在微安級,固然可以合用于大部門消費(fèi)類電子芯片的應(yīng)用,但對于一些特殊應(yīng)用,如充電電池保護(hù)芯片,則無法達(dá)到其設(shè)計(jì)要求。
(3)基準(zhǔn)電壓的線性調(diào)整率?;鶞?zhǔn)電壓的電源按捺好比所示。
(2)電路具有極小的靜態(tài)電流。為了減小電路的靜態(tài)電流,這里的基準(zhǔn)與偏置電路采用增強(qiáng)管與耗盡管相結(jié)合的方式。于是降低基準(zhǔn)電路的電流則成為芯片低功耗設(shè)計(jì)的樞紐。特別是當(dāng)所選擇工藝的NMOS管閾值較小,并且耗盡管的寬長比較小時(shí),基準(zhǔn)電壓只有零點(diǎn)幾伏,在低壓供電的電源驅(qū)動芯片中,具有較大的上風(fēng)。
為基準(zhǔn)電壓源的等效結(jié)構(gòu)圖。
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