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  • MOS管電路符號圖解
    • 發(fā)布時間:2020-01-13 15:59:01
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    MOS管電路符號圖解
    MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
    MOS管的使用優(yōu)勢
    MOS管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用MOS管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。
    MOS管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件。有些MOS管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。MOS管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多MOS管集成在一塊硅片上,因此MOS管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
    電路符號
    常用于MOSFET的電路符號有很多種變化,最常見的設(shè)計是以一條直線代表通道,兩條和通道垂直的線代表源極與漏極,左方和通道平行而且較短的線代表柵極,如下圖所示。有時也會將代表通道的直線以破折線代替,以區(qū)分增強型MOSFET(enhancement mode MOSFET)或是耗盡型MOSFET(depletion mode MOSFET)。
    由于集成電路芯片上的MOSFET為四端元件,所以除了柵極、源極、漏極外,尚有一基極(Bulk或是Body)。MOSFET電路符號中,從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠(yuǎn)從P端指向N端,所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET,或簡稱PMOS(代表此元件的通道為P型);反之若箭頭從基極指向通道,則代表基極為P型,而通道為N型,此元件為N型的MOSFET,簡稱NMOS。在一般分布式MOSFET元件(discrete device)中,通常把基極和源極接在一起,故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極(common bulk),所以不標(biāo)示出基極的極性,而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區(qū)別。
    MOS管
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