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  • MOS管大功率驅(qū)動電源知識
    • 發(fā)布時間:2020-01-13 15:17:34
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    MOS管大功率驅(qū)動電源
    MOS管功率放具有鼓勵功率小,輸出功率大,輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù),安全可靠,且有工作頻率高,偏置簡略等長處。
    mos管作用:
    MOS管主驅(qū)動電路的輸出端與MOS管的柵極電銜接,輸入端接單片機(jī)脈寬調(diào)制輸入信號。 以運放的輸出作為OCL的輸入,到達(dá)克制零點漂移的作用。
    mos管電路:
    MOS管驅(qū)動電路,驅(qū)動電路包含MOS管主驅(qū)動電路和欠壓維護(hù)電路。欠壓維護(hù)電路銜接在MOS管主驅(qū)動電路的輸入端,包含對比器、電阻R1、R2和穩(wěn)壓二極管D2;電阻R2和對比器的輸入端并聯(lián)再與電阻R1串聯(lián)在MOS管主驅(qū)動電路的驅(qū)動電源和電源地之間;對比器的輸出端串聯(lián)穩(wěn)壓二極管D2。
    本實用新型的欠壓維護(hù)電路將驅(qū)動電源電壓經(jīng)電阻分壓后的電壓與設(shè)定的基準(zhǔn)電壓對比,假如低于基準(zhǔn)電壓,欠壓維護(hù)驅(qū)動電路當(dāng)即堵截MOS管驅(qū)動電路,有用避免MOS管進(jìn)入線性區(qū)所形成的功率器材功率低及易損壞等不良后果。
    mos開關(guān)管:
    開關(guān)損耗與功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動能力和工作頻率有關(guān),所以要解決功率管的發(fā)燒可以從以下幾個方面解決:A、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管,由于內(nèi)阻越小,cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,差別太大了,選擇功率管時,夠用就可以了。對于前者,留意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高,固然負(fù)載電壓高,效率會高點。如果芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會引起芯片的發(fā)燒。有的工程師沒有留意到這個現(xiàn)象,直接調(diào)節(jié)sense電阻或者工作頻率達(dá)到需要的電流,這樣做可能會嚴(yán)峻影響LED的使用壽命。在均勻電流不變的條件下,只能看著光衰了。不管如何降頻沒有好處,只有壞處,所以一定要解決。
    mos管電路特征:
    1,用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管。
    2,用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需要的MOS管。
    3,gate電壓的峰值束縛
    4,輸入和輸出的電流束縛
    5,通過運用適合的電阻,可以抵達(dá)很低的功耗。
    6,PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性,可以通過前置一個反相器來處理。
    mos管參數(shù):
    ards---漏源電阻溫度系數(shù)
    aID---漏極電流溫度系數(shù)
    Vn---噪聲電壓
    η---漏極效率(射頻功率管)
    Zo---驅(qū)動源內(nèi)阻
    VGu---柵襯底電壓(直流)
    VDu---漏襯底電壓(直流)
    Vsu---源襯底電壓(直流)
    VGD---柵漏電壓(直流)
    VDS(sat)---漏源飽滿電壓
    VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
    V(BR)GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓
    Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
    VGSR---反向柵源電壓(直流)
    VGSF--正向柵源電壓(直流)
    Tstg---貯成溫度
    Tc---管殼溫度
    Ta---環(huán)境溫度
    Tjm---最大容許結(jié)溫
    Tj---結(jié)溫
    PPK---脈沖功率峰值(外電路參數(shù))
    POUT---輸出功率
    PIN--輸入功率
    PDM---漏極最大容許耗散功率
    PD---漏極耗散功率
    R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
    R(th)jc---結(jié)殼熱阻
    RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù))
    Rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù))
    rGS---柵源電阻
    rGD---柵漏電阻
    rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
    rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
    rDS---漏源電阻
    Ls---源極電感
    LD---漏極電感
    L---負(fù)載電感(外電路參數(shù))
    Ku---傳輸系數(shù)
    K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
    gds---漏源電導(dǎo)
    ggd---柵漏電導(dǎo)
    GPD---共漏極中和高頻功率增益
    GpG---共柵極中和高頻功率增益
    Gps---共源極中和高頻功率增益
    Gp---功率增益
    gfs---正向跨導(dǎo)
    Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數(shù))
    Iu---襯底電流
    IDSS2---對管第二管漏源飽滿電流
    IDSS1---對管第一管漏源飽滿電流
    IGSS---漏極短路時截止柵電流
    IF---二極管正向電流
    IGP---柵極峰值電流
    IGM---柵極脈沖電流
    IGSO---漏極開路時,截止柵電流
    IGDO---源極開路時,截止柵電流
    IGR---反向柵電流
    IGF---正向柵電流
    IG---柵極電流(直流)
    IDS(sat)---溝道飽滿電流(漏源飽滿電流)
    IDSS---柵-源短路時,漏極電流
    IDSM---最大漏源電流
    IDS---漏源電流
    IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管)
    ID(on)---通態(tài)漏極電流
    dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù))
    di/dt---電流上升率(外電路參數(shù))
    Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
    Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量
    Iar:雪崩電流
    Ton:正導(dǎo)游通時刻.(根本能夠忽略不計).
    Qrr :反向恢復(fù)充電電量.
    Trr :反向恢復(fù)時刻.
    VSD :正導(dǎo)游通壓降.
    ISM:脈沖最大續(xù)流電流(從源極).
    IS :接連最大續(xù)流電流(從源極).
    EAR:重復(fù)雪崩擊穿能量.
    IAR :雪崩電流.
    EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個極限參數(shù),闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.
    mos管器件檢測:
    1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開,萬用表紅黑筆不變,假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大,則MOS管漏電,不變則完好
    2、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來,假如指針立刻返回?zé)o限大,則MOS完好。
    3、把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應(yīng)該是無限大。
    4、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,這時表針指示的值一般是0,這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場,因為電場產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通,故萬用表指針偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)的角度大,放電性越好。
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