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    • mos管參數(shù)-mos管功率參數(shù)大全
    • 發(fā)布時間：2020-01-13 15:05:31
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    mos管參數(shù)-mos管功率參數(shù)大全
    mos管參數(shù)
    mos管功率各種參數(shù)大全
    mos管基本參數(shù)
    向傳輸電容 Crss = CGD .
    Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD .
    Ciss:輸入電容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).
    Tf :下降時刻.輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時刻.
    Td(off) :關(guān)斷延遲時刻.輸入電壓下降到 90%開端到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10% 的時刻.
    Tr :上升時刻.輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時刻.
    Td(on):導通延遲時刻.從有輸入電壓上升到 10% 開端到 VDS 下降到其幅值90%的時刻.
    Qgd :柵漏充電(考慮到 Miller效應)電量.
    Qgs:柵源充電電量.
    Qg :柵極總充電電量.
    MOSFET是電壓型驅(qū)動器材,驅(qū)動的進程即是柵極電壓的建立進程,這是經(jīng)過對柵源及柵漏之間的電容充電來完成的,下面將有此方面的詳細論述.
    gfs:跨導.是指漏極輸出電流的改變量與柵源電壓改變量之比,是柵源電壓對漏極電流操控才能巨細的測量. gfs 與 VGS 的轉(zhuǎn)移聯(lián)系圖如下圖所示.
    動態(tài)參數(shù)
    IGSS :柵源驅(qū)動電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大,IGSS 通常在納安級.
    IDSS :飽滿漏源電流,柵極電壓 VGS=0 、
    VDS 為必定值時的漏源電流.通常在微安級.
    VGS(th) :敞開電壓(閥值電壓).當外加柵極操控電壓 VGS超越VGS(th)
    時,漏區(qū)和源區(qū)的外表反型層形成了銜接的溝道.應用中,常將漏極短接前提下 ID即是毫安時的柵極電壓稱為敞開電壓.此參數(shù)通常會隨結(jié)溫度的上升而有所下降.
    RDS(on) :在特定的 VGS (通常為 10V)、結(jié)溫及漏極電流的前提下, MOSFET 導通時漏源間的最大阻抗.它是一個非常重要的參數(shù),決定了MOSFET導通時的消耗功率.此參數(shù)通常會隨結(jié)溫度的上升而有所增大（正溫度特性）. 故應以此參數(shù)在最高作業(yè)結(jié)溫前提下的值作為損耗及壓降計算.
    △V(BR)DSS/ △
    Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數(shù),通常為0.1V/ ℃.
    V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VGS 為 0
    時,場效應管正常作業(yè)所能接受的最大漏源電壓.這是一項極限參數(shù),加在場效應管上的作業(yè)電壓必需小于V(BR)DSS .它具有正溫度特性.故應以此參數(shù)在低溫前提下的值作為安全考慮. 加負壓非常好。
    靜態(tài)參數(shù)
    TSTG :存儲溫度范圍.
    Tj:最大作業(yè)結(jié)溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ,器材規(guī)劃的作業(yè)前提下須確應防止超越這個溫度,并留有必定裕量. （此參數(shù)靠不?。?/div>
    VGS:最大柵源電壓.，通常為：-20V~+20V
    PD:最大耗散功率.是指場效應管機能不變壞時所容許的最大漏源耗散功率.使用時,場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有必定余量.此參數(shù)通常會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.（此參數(shù)靠不?。?/div>
    IDM:最大脈沖漏源電流.表現(xiàn)一個抗沖擊才能，跟脈沖時刻也有聯(lián)系，此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.
    ID:最大漏源電流.是指場效應管正常作業(yè)時,漏源間所容許經(jīng)過的最大電流.場效應管的作業(yè)電流不應超越 ID .此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.
    極限參數(shù)
    ards---漏源電阻溫度系數(shù)
    aID---漏極電流溫度系數(shù)
    Vn---噪聲電壓
    η---漏極效率（射頻功率管）
    Zo---驅(qū)動源內(nèi)阻
    VGu---柵襯底電壓（直流）
    VDu---漏襯底電壓（直流）
    Vsu---源襯底電壓（直流）
    VGD---柵漏電壓（直流）
    VDS(sat)---漏源飽滿電壓
    VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
    V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓
    Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
    VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
    VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
    VGSR---反向柵源電壓（直流）
    VGSF--正向柵源電壓（直流）
    Tstg---貯成溫度
    Tc---管殼溫度
    Ta---環(huán)境溫度
    Tjm---最大容許結(jié)溫
    Tj---結(jié)溫
    PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）
    POUT---輸出功率
    PIN--輸入功率
    PDM---漏極最大容許耗散功率
    PD---漏極耗散功率
    R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
    R(th)jc---結(jié)殼熱阻
    RL---負載電阻（外電路參數(shù)）
    Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）
    rGS---柵源電阻
    rGD---柵漏電阻
    rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
    rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
    rDS---漏源電阻
    Ls---源極電感
    LD---漏極電感
    L---負載電感（外電路參數(shù)）
    Ku---傳輸系數(shù)
    K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
    gds---漏源電導
    ggd---柵漏電導
    GPD---共漏極中和高頻功率增益
    GpG---共柵極中和高頻功率增益
    Gps---共源極中和高頻功率增益
    Gp---功率增益
    gfs---正向跨導
    Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）
    Iu---襯底電流
    IDSS2---對管第二管漏源飽滿電流
    IDSS1---對管第一管漏源飽滿電流
    IGSS---漏極短路時截止柵電流
    IF---二極管正向電流
    IGP---柵極峰值電流
    IGM---柵極脈沖電流
    IGSO---漏極開路時，截止柵電流
    IGDO---源極開路時，截止柵電流
    IGR---反向柵電流
    IGF---正向柵電流
    IG---柵極電流（直流）
    IDS(sat)---溝道飽滿電流（漏源飽滿電流）
    IDSS---柵-源短路時，漏極電流
    IDSM---最大漏源電流
    IDS---漏源電流
    IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）
    ID(on)---通態(tài)漏極電流
    dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）
    di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）
    Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
    Ear:重復雪崩擊穿能量
    Iar: 雪崩電流
    一些別的的參數(shù)
    Ton:正導游通時刻.(根本能夠忽略不計).
    Qrr :反向恢復充電電量.
    Trr :反向恢復時刻.
    VSD :正導游通壓降.
    ISM:脈沖最大續(xù)流電流(從源極).
    IS :接連最大續(xù)流電流(從源極).
    體內(nèi)二極管參數(shù)
    結(jié)點到鄰近環(huán)境的熱阻,含義同上.
    外殼到散熱器的熱阻,含義同上.
    結(jié)點到外殼的熱阻.它標明當耗散一個給定的功率時,結(jié)溫與外殼溫度之間的差值巨細.公式表達⊿ t = PD* ?.
    熱阻
    EAR:重復雪崩擊穿能量.
    IAR :雪崩電流.
    EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個極限參數(shù),闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.
    雪崩擊穿特性參數(shù):這些參數(shù)是 MOSFET 在關(guān)斷狀態(tài)能接受過壓才能的目標.假設(shè)電壓超越漏源極限電壓將致使器材處在雪崩狀態(tài).
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