MOS場效應(yīng)管也被稱為MOSFET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)的縮寫。它一般有耗盡型和增強型兩種我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場效應(yīng)管，其輸出電流是由輸入的電壓(或稱場電壓)控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。

mos管工作原理

（以N溝道增強型mos場效應(yīng)管）它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

mos管開關(guān)性能

影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因為在每次開關(guān)時都要對它們充電。MOS管的開關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關(guān)過 程中器件的總損耗，要計算開通過程中的損耗（Eon）和關(guān)閉過程中的損耗（Eoff）。MOSFET開關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá)：Psw= （Eon+Eoff）×開關(guān)頻率。

而柵極電荷（Qgd）對開關(guān)性能的影響最大。場效應(yīng)管的名字也來源于它的輸入端（稱為gate）通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。

mos管導(dǎo)通

MOS管具有很低的導(dǎo)通電阻，消耗能量較低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管作為功率開關(guān)。但是由于MOS管的寄生電容大，一般情況下NMOS開關(guān)管的柵極電容高達(dá)幾十皮法。這對于設(shè)計高工作頻率DC－DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)管驅(qū)動電路的設(shè)計提出了更高的要求。在低電壓ULSI設(shè)計中有多種CMOS、BiCMOS采用自舉升壓結(jié)構(gòu)的邏輯電路和作為大容性負(fù)載的驅(qū)動電路。這些電路能夠在低于1V電壓供電條件下正常工作，并且能夠在負(fù)載電容1～2pF的條件下工作頻率能夠達(dá)到幾十兆甚至上百兆赫茲。本文正是采用了自舉升壓電路，設(shè)計了一種具有大負(fù)載電容驅(qū)動能力的，適合于低電壓、高開關(guān)頻率升壓型DC－DC轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動電路。電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計并經(jīng)過Hspice仿真驗證，在供電電壓1.5V ，負(fù)載電容為60pF時，工作頻率能夠達(dá)到5MHz以上。

mos失效原因

1）雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。

2）SOA失效(電流失效)，既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導(dǎo)致的失效。

3）體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。

4）諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。

5）靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。

6）柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。

mos管注意事項

1、MOS部件出廠時一般裝在黑色的導(dǎo)電多氣孔材料袋中，切勿自行輕易拿個分子化合物塑料袋裝。

2、抽取MOS管部件不可以在分子化合物塑料板上滑動，應(yīng)用金屬盤來盛放待用部件。

3、燒焊用的電烙鐵務(wù)必令人滿意接地。

4、在燒焊前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，待MOS部件燒焊完后再分開。

5、MOS部件各管腳的燒焊順著次序是漏極、源極、柵極。拆機時順著次序相反。

6、在準(zhǔn)許的條件下，MOS場效應(yīng)管的柵極最好接入盡力照顧二極管。在檢查修理電路時應(yīng)注意調(diào)查證明原有的盡力照顧二極管是否毀壞。

7、最好是帶防靜電手套兒或穿上防靜電的衣裳再去接觸場效應(yīng)管。

8、選管時，要注意實際電路中各極電流電壓的數(shù)字都不可以超過規(guī)格書中的定額值。

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