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增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管有什么區(qū)別
  • 發(fā)布時(shí)間:2019-12-10 14:58:50
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增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管有什么區(qū)別
增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管
場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成,所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí),溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種:所謂的增強(qiáng)還是耗盡,主要是指MOS管內(nèi)的反型層。如果在不通電情況下,反型層不存在,電壓加到一定程度后,反型層才出現(xiàn),(當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的)這個(gè)就是增強(qiáng)。相反,如果反型層一開始就存在,隨著電壓強(qiáng)弱,反型層會(huì)出現(xiàn)增加或者衰減,(當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的)這個(gè)就是耗盡。
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