在MOS模擬集成電路中,電容也是一種不可或缺的元件,由于其易于與MOS器件相匹配,制造較易,且工藝制造的匹配精度比電阻好,所以得到了較廣泛的應用。在CMOS電路中,人多數(shù)電容都用Si02作為介質,但也有某些工藝中采用Si02/Si3N4夾層介質,利用Si3N4較高的介電常數(shù)特性來制作較大值的電容。另外由于沉積氧化層厚度有較大的偏差,因此沉積氧化物通常不適用于制作精密電容器。
在理想情況下,電容值可用式(1.62)進行計算
式(1.62)中,W、L別為電容上下極板的寬、長,ε0x為介質層的介電常數(shù),tox為介質層的厚度。電容的標準偏差為
通常選擇W、L(提高電容的Q值),則式(1.63)中后兩項的誤差取決于光刻誤差,通常稱之為邊緣誤差;而式(1.63)中前兩項的誤差為氧化層效應誤差。在小電容時,起主導作用的是邊緣效應誤差,而人電容時主要取決于氧化層誤差。
電容器的比例精度主要取決于它們的面積比(特別是小電容)。下面介紹幾種主要的電容結構。
1.PN結電容
直接利用PN結構成的電容,這類電容具有大的電壓系數(shù)和非線性,除了用做濾波電容或變容管外并不常用。
2.MOS電容
只適用于NMOS與CMOS金屬柵工藝,如圖1.25所示。
這類電容的溫度系數(shù)為25xl0-6/℃,電容誤差為土15%,電壓系數(shù)為25x10-6/v.這是一種與電壓相關性很大的電容。
3.多晶與體硅之間的電容
由NMOS或CMOS多晶硅柵(金屬柵)工藝實現(xiàn),需要額外增加一次離子注入形成底板的N+重摻雜區(qū),以多晶硅為上極板,二氧化硅為介質,N+為下極板構成電容,如圖1.26所示。
由于其襯底必須接一個固定電位以保證N+和P-S襯底構成的PN結反偏,此時多晶與體硅間的電容可認為是一個無極性的電容,但存在底板PN結寄生電容(15%一30%)。
這類電容的電壓系數(shù)為-10x10-6/V溫度系數(shù)為20~50xlO-6/℃,誤差為±15%。
另外,這類電容可以通過多晶條的激光修正來調節(jié)電容值。
4.多晶與場注入?yún)^(qū)間的電容
只能在帶場注入的NMOS與CMOS硅柵工藝中采用,由于該電容的介質為厚的場氧化層,所以單位面積的電容較小。
在應用這類電容時,電容的底板必須與襯底相連。
5.金屬與多晶電容
通過NMOS與CMOS硅柵下藝實現(xiàn),在蒸鋁之前用光刻的方法刻去多晶硅上的厚氧化層,然后在制作柵氧化層時在多晶硅上熱生長—氧化層,最后蒸鋁,從而得到了鋁氧化層-多晶硅電容,如圖1.27所示,這種電容通常位于場區(qū)。
這種電容可以對多晶條進行修正以獲得較精確的電容值。
因為由于介質變化與張弛使得在Q-V中的滯后,所以CVD氧化層不適用于作為電容介質。
在多晶硅與襯底之間存在寄生電容,由于其介質為厚的場氧化層,因此該寄生電容很小,通常為所需電容的十分之一:而從可靠性考慮,其金屬層必須人于介質氧化層,所以金屬層與襯底間存在寄生電容,但其值則更小,只為所需電容的1%左右。
此類電容的電壓系數(shù)為100x10-6/V,溫度系數(shù)為:100*10-6/℃。
當然也可以用多晶硅作為電容的上極板,而金屬作為其下極板,介質為氧化層構成電容。
6.雙多晶電容(PIP電容)
NMOS與CMOS雙多品工藝實現(xiàn),其上下極板都為多品,介質為薄氧化層,如圖1.28所示。介質氧化層一般與柵氧同時形成。
這類電容的電壓系數(shù)為100*10-6/v溫度系數(shù)為100*10-6/℃。
多晶2的面積可以小于薄氧化層面積,從而只有較小的寄生電容(厚氧電容),由于雙層多晶硅電容具有性能穩(wěn)定、寄生電容小等優(yōu)點,因此在MOS集成電路中有廣泛的應用。
7.用MOS器件作電容
由于MOS管中存在著明顯的電容結構,因此可以用MOS器件制作成一個電容使用。如果一個NMOS管的源、漏、襯底都接地而柵電壓接正電壓,當VG上升并達到Vth時在多晶硅下的襯底表面將開始出現(xiàn)一反型層。在這種條件下NMOS可看成一個二端器件,并且不同的
柵壓會產(chǎn)生厚度不一樣的反型層,從而有不同的電容值。
(1)耗盡型區(qū):柵壓為一很負的值,柵上的負電壓就會把襯底中的空穴吸引到氧化層表面,即構成了積累區(qū),此時,由于只有積累區(qū)出現(xiàn),而無反型層,且積累層的厚度很厚,因此積累層的電容可以忽略。故此時的NMOS管可以看成一個單位面積電容為Cox的電容,其中
間介質則為柵氧。當VGS上升時,襯底表面的空穴濃度下降,積累層厚度減小,則積累層電容;
增大,該電容與柵氧電容相串聯(lián)后使總電容減小,直至VGs趨于0,積累層消失,當VGS略大于o時,在柵氧下產(chǎn)生了耗盡層,總電容最小。
(2)弱反型區(qū):VGS繼續(xù)上升,則在柵氧下面就產(chǎn)生耗盡層,并開始出現(xiàn)反型層,該器件進入了弱反型區(qū),在這種模式下,其電容由Cox與Cb串聯(lián)而成,并隨VGS的增人,其電容量逐步增大。
(3)強反型區(qū):當VGS超過Vth,其二氧化硅表面則保持為一溝道,且其單位電容又為Cox。圖1.29顯示了這些工作狀態(tài)。
烜芯微專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,20年,工廠直銷省20%,1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹