MOS管參數(shù)說明，在使用 MOS 管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。MOS管是FET的一種，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應(yīng)用的為增強型的NMOS管和增強型的PMOS管，所以通常提到的就是這兩種。這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。在MOS管內(nèi)部，漏極和源極之間會寄生一個二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載(如馬達(dá))，這個二極管很重要，并且只在單個的 MOS 管中存在此二極管，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免。MOS 管導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs 大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓達(dá)到一定電壓（如4V或10V, 其他電壓，看手冊）就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接 VCC 時的情況(高端驅(qū)動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。

MOS 開關(guān)管損失

不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的 MOS 管會減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾毫歐，幾十毫歐左右MOS在導(dǎo)通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。降低開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。

MOS管驅(qū)動

MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要 GS 電壓高于一定的值，就可以了。但是，我們還需要速度。在 MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而 MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計 MOS 管驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。普遍用于高端驅(qū)動的 NMOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的 MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比 VCC 大(4V 或 10V 其他電壓，看手冊)。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比 VCC 大的電壓，就要專門的升壓電路了，很多馬達(dá)驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。

MOS管參數(shù)含義說明

1、極限參數(shù)：

ID:最大漏源電流。是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID 。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額

IDM:最大脈沖漏源電流。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額

PD：最大耗散功率。是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升有所減額

VGS：最大柵源電壓

Tj：最大工作結(jié)溫。通常為 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件設(shè)計的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個溫度，并留有一定裕量

TSTG：存儲溫度范圍

2、靜態(tài)參數(shù)

V(BR)DSS：漏源擊穿電壓。是指柵源電壓VGS 為 0 時，場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS 。 它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。△ V(BR)DSS/ △ Tj ：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)，一般為 0.1V/ ℃

RDS(on)：在特定的 VGS （一般為 10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下， MOSFET 導(dǎo)通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要的參數(shù)，決定了 MOSFET 導(dǎo)通時的消耗功率。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所增大。 故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計算

VGS(th)：開啟電壓（閥值電壓）。當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所降低

IDSS：飽和漏源電流，柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時的漏源電流。一般在微安級

IGSS：柵源驅(qū)動電流或反向電流。由于MOSFET輸入阻抗很大，IGSS 一般在納安級

3、動態(tài)參數(shù)

gfs ：跨導(dǎo)。是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，是柵源電壓對漏極電流控制能力大小的量度。 gfs 與 VGS 的轉(zhuǎn)移關(guān)系注意看圖表

Qg ：柵極總充電電量。 MOSFET 是電壓型驅(qū)動器件，驅(qū)動的過程就是柵極電壓的建立過程，這是通過對柵源及柵漏之間的電容充電來實現(xiàn)的，下面將有此方面的詳細(xì)論述

Qgs ：柵源充電電量

Qgd ：柵漏充電（考慮到 Miller 效應(yīng)）電量

Td(on) ：導(dǎo)通延遲時間。從有輸入電壓上升到 10% 開始到 VDS 下降到其幅值 90% 的時間

Tr ：上升時間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間

Td(off) ：關(guān)斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10% 的時間

Tf ：下降時間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間

Ciss ：輸入電容， Ciss= CGD + CGS （ CDS 短路）

Coss ：輸出電容，Coss = CDS +CGD

Crss ：反向傳輸電容，Crss = CGD

MOS管的極間電容，MOSFET 之感生電容被大多數(shù)制造廠商分成輸入電容，輸出電容以及反饋電容。所引述的值是在漏源電壓為某固定值的情況下。此些電容隨漏源電壓的變化而變化，電容數(shù)值的作用是有限的。輸入電容值只給出一個大概的驅(qū)動電路所需的充電說明，而柵極充電信息更為有用。它表明為達(dá)到一個特定的柵源電壓柵極所必須充的電量。

4、雪崩擊穿特性參數(shù)

這些參數(shù)是 MOSFET 在關(guān)斷狀態(tài)能承受過壓能力的指標(biāo)。如果電壓超過漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩狀態(tài)

EAS：單次脈沖雪崩擊穿能量。這是個極限參數(shù)，說明 MOSFET 所能承受的最大雪崩擊穿能量

IAR：雪崩電流

EAR：重復(fù)雪崩擊穿能量

5、體內(nèi)二極管參數(shù)

IS：連續(xù)最大續(xù)流電流（從源極）

ISM：脈沖最大續(xù)流電流（從源極）

VSD：正向?qū)▔航?/div>