正向壓降低:由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和 正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)
2.反向恢復(fù)時間快:由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間,完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少,故開關(guān)速度非???,開關(guān)損 耗也特別小,尤其適合于高頻應(yīng)用
3.工作頻率高:由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz
4.反向耐壓低:由于SBD的反向勢壘較薄,并且在其表面極易發(fā)生擊穿,所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿,反向漏電流比PN結(jié)二極管大。SBD的結(jié)構(gòu)及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流,在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻,在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBDTTL集成電路早已成為TTL電路的主流,在高速計算機(jī) 中被廣泛采用。???除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外,用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(指SBD施加額定本振功率時對指定中頻所呈現(xiàn)的阻抗,一般在200Ω~600Ω之間),電壓駐波比(一般≤2)和噪聲系數(shù)等
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