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MOS高壓側(cè)自舉升壓電路介紹MOS高壓側(cè)自舉升壓電路如果不添加自舉電路,舉例如下:如果MOS的Drink極電壓為12V,Source極電壓原為0V,Gate極
MOS管的壓降問題實例解析測試開關(guān)mos后電壓下降了1V多,鋰電池4 2V的電壓算是很低的一個電壓,并且是拿這個mos導(dǎo)通之后的電壓作為電壓比較
共柵級和共源級MOS管放大器小信號增益對比介紹了解共柵級和共源級兩種放大器的小信號增益的聯(lián)系和區(qū)別,對共柵級放大器主要是本征增益一項
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折疊式共源共柵結(jié)構(gòu),折疊式共源共柵放大器介紹折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)共源共柵級由共源級實現(xiàn)電壓到電流的轉(zhuǎn)換,然后電流信號加到共柵級的源端
計算運放電路的輸出失調(diào)詳細(xì)方法介紹運放電路的輸出失調(diào)計算理想的運算放大器模型具有無限的增益、帶寬、輸入阻抗和輸出導(dǎo)納,以及幾乎為零
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