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MOSFET di dt與dv dt分開控制方法介紹功率 MOSFET 的開關(guān)過程功率 MOSFET 的開通過程中可以分為 4 個(gè)階段,關(guān)斷過程的基本原理和開
米勒效應(yīng)對MOSFET開關(guān)過程有什么影響嗎下面以圖10中電機(jī)控制電路來說明米勒效應(yīng)對MOSFET開通關(guān)斷過程的影響。在圖10控制電路中,上管導(dǎo)通時(shí)
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MOSFET的門源極并聯(lián)電容介紹MOSFET門源極并聯(lián)電容后,開關(guān)可靠性得到提升開關(guān)電路如下圖:電路解釋1 該電路用于高邊開關(guān),當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉
電路設(shè)計(jì),過熱保護(hù)電路圖介紹過熱保護(hù)電路圖(一)原理電路是以電機(jī)過熱保護(hù)為例,由PTC熱敏電阻和施密特電路構(gòu)成的控制電路。圖中,RT1、R
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MOS驅(qū)動(dòng),PCB布線技巧圖文解析開關(guān)電源在布線上最大的特點(diǎn)是拓?fù)湟鸬母哳l(高壓)強(qiáng)電流與控制級的弱電信號交織在一起,首先要保證強(qiáng)電流
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H橋,三種H橋驅(qū)動(dòng)方式詳解三種H橋驅(qū)動(dòng)方式1、受限單極驅(qū)動(dòng)(高端驅(qū)動(dòng))負(fù)載與GND相連。即H橋的上半橋臂用PWM控制,而下半橋臂常開。T0時(shí)刻Q1