深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國服務熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號愛華科研樓7層
-
MOS管熱阻,輸入輸出電容,開關時間解析
2023-04-18
MOS管熱阻,輸入輸出電容,開關時間解析打開一個MOS管的SPEC，會有很多電氣參數，本文分析一下熱阻、電容和開關時間。熱阻，英文Thermal res
-
PMOS設計反向電壓保護電路,原理介紹
2023-04-15
PMOS設計反向電壓保護電路,原理介紹直流系統(tǒng)中，比如汽車電子設計中，當電池接反時，使用電池作為電源的電路可能會損壞，所以一般需要反向
-
通過雙脈沖測試確認MOSFET損耗解析
2023-04-15
通過雙脈沖測試確認MOSFET損耗解析MOSFET體二極管的反向恢復特性與橋式電路損耗的關系在逆變器電路和Totem Pole型功率因數改善（PFC）電路
-
LED電路,利用MOSFET提升效率降低噪聲介紹
2023-04-15
LED電路,利用MOSFET提升效率降低噪聲介紹LED照明電路（臨界模式PFC＋DC DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實際LED照
-
開關損耗測試在電源調試中的重要作用介紹
2023-04-14
開關損耗測試在電源調試中的重要作用介紹MOSFET IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環(huán)節(jié)。開關電源(SMPS)技術依托電源半導體開關設
-
開關損耗測量中需要注意的問題分析
2023-04-14
開關損耗測量中需要注意的問題分析開關損耗測量中應考慮哪些問題在實際的測量評估中，我們用一個通道測量電壓，另一個通道測量電流，然后軟
-
驅動電路中的誤開通介紹
2023-04-14
驅動電路中的誤開通介紹驅動電路中的誤開通功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個受門極電壓控制的開關。當門極電壓大于開通閾值時，功
-
驅動電路中的誤開通怎么避免
2023-04-13
驅動電路中的誤開通怎么避免避免驅動誤開通的方法門極電阻、電容法為了避免功率管的誤開通，常用的方法是通過調整門極驅動的電阻和電容，如
-
SiC MOSFET橋臂串擾問題,誤開通詳解
2023-04-13
SiC MOSFET橋臂串擾問題,誤開通詳解相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開關速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效
-
MOS管驅動電路功率損耗怎么計算
2023-04-13
MOS管驅動電路功率損耗怎么計算在一些大電流的MOS管應用電路中，功耗越大，意味著發(fā)熱越多，器件溫升就越高，這對于電路的穩(wěn)定工作而言是個
-
小功率電源MOS管驅動電路設計圖文介紹
2023-04-12
小功率電源MOS管驅動電路設計圖文介紹MOS管驅動電路設計對于小功率電源(50W以內)MOS管的驅動電路設計相對簡單，只需要一個驅動電阻Rg即可對
-
SiC MOSFET尖峰產生原因與抑制介紹
2023-04-12
SiC MOSFET尖峰產生原因與抑制介紹SiC MOSFET DS電壓尖峰產生原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖