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CMOS器件的電學(xué)特性MOS器件的特性受電源電壓和環(huán)境溫度的影響,不過(guò)由于構(gòu)成CMOS的p溝、n溝晶體管受影響發(fā)作變化的狀況相同,其結(jié)果在特性
MOS晶體管的工作原理 首先討論將柵極與源極短路、接地(VGS=OV)時(shí)的狀況。如圖1 9所示的MOS晶體管。這種狀態(tài)下,雖然漏極上加電壓VDS,但
基本放大電路為了放大模仿信號(hào)必需運(yùn)用有源器件。MOS晶體管就是一種頻繁運(yùn)用的有源器件。MOS晶體管的三個(gè)端子中有兩個(gè)分別是輸入端和輸出端
CMOS規(guī)范邏輯CMOS規(guī)范邏輯的歷史與MOS型半導(dǎo)體的開展歷史有著親密的關(guān)系。圖11 l示出規(guī)范邏輯IC從降生到開展的樹狀生長(zhǎng)過(guò)程。規(guī)范邏輯IC大
場(chǎng)效應(yīng)管的個(gè)性目前,曾經(jīng)適用化的全控型晶體管大致有這么幾大類:BJT、FET、IGBT,GTO(Gatc Turn-Off Thyristor,可關(guān)斷晶閘管)、1GCT
場(chǎng)效應(yīng)管封裝有哪種類型-場(chǎng)效應(yīng)管封裝的有哪些板級(jí)封裝無(wú)論是狹義上的模塊,還是IPM、PIM、MCM、SIP SOP,中心的元器件都是管芯和裸芯片,
柵源放大電路源極接地放大電路是最常用的放大電路,它最大的電壓增益是gmr。(MOS晶體管的本征增益),也就是不超越幾十倍的程度。所謂本征
基本電流源電路偏置電路有兩種,即電流偏置電路和電壓偏置電路。設(shè)計(jì)CMOS模擬電路時(shí)最常用的是電流偏置電路。這是由于MOS晶體管的跨導(dǎo)gm和
開關(guān)電源中的MOS管今天我們?cè)趤?lái)一同學(xué)習(xí)下開關(guān)電源上面要怎樣選擇MOS管吧,看下開關(guān)電源上面選用MOS管應(yīng)留意那些東西,哪些參數(shù)是MOS管在開
源區(qū)與基底等電位時(shí)MOS晶體管的源極與基底等電位,由于Ubs=0,所以小信號(hào)等效電路能夠簡(jiǎn)化成圖2 4那樣。由于漏極電導(dǎo)的倒數(shù)就是輸出電阻ro
能夠在低電壓下工作/工作電壓范圍寬圖]0 11示出典型的CMOS規(guī)范邏輯IC的工作電源電壓范圍。與雙極型TTL(Transistor Transistor Logic)的5
晶體管與CMOS邏輯的接口CMOS電路的最末級(jí),通常是用顯現(xiàn)器顯現(xiàn),或者介入繼電器控制大電流,或者向遠(yuǎn)處傳送信號(hào)等,很少?zèng)]有不借助晶體管的