您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機(jī)訪問
掃一掃訪問手機(jī)網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國(guó)服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號(hào)愛華科研樓7層
-
什么是CMOS傳輸門,工作原理解析
2023-06-01
什么是CMOS傳輸門,工作原理解析什么是CMOS傳輸門將MOS管的源極和襯底之間的連線斷開，這樣MOS管的源極和漏極就能互換使用，利用PMOS管和NMO
-
模擬開關(guān),CMOS傳輸門的開關(guān)功能介紹
2023-05-31
模擬開關(guān),CMOS傳輸門的開關(guān)功能介紹CMOS傳輸門的開關(guān)功能利用CMOS反相器為傳輸門的控制端提供一對(duì)互補(bǔ)的控制信號(hào)，這種電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了可控
-
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線,輸出特性曲線介紹
2023-05-31
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線,輸出特性曲線介紹以某型號(hào)器件為例，通過分析其曲線，來分析MOS管的工作特性。一、轉(zhuǎn)移特性曲線(VGS-ID曲線)說明的是
-
MOS電容C-V曲線繪制介紹
2023-05-31
MOS電容C-V曲線繪制介紹MOS電容C-V曲線繪制方法一：dc掃描 AVDD 從-3掃到3Vtools-result Brower-dcOpinfo-選定M0的Cgg得到圖線：方法二
-
MOS管C-V電容變化曲線介紹
2023-05-30
MOS管C-V電容變化曲線介紹MOS管電容分別由氧化層電容和半導(dǎo)體電容串聯(lián)組成，Cox為固定電容值，和電容極板的厚度以及面積有關(guān)。Cs為可變電容
-
電路設(shè)計(jì),MOS管電容近似計(jì)算方法介紹
2023-05-30
電路設(shè)計(jì),MOS管電容近似計(jì)算方法介紹Cox的理論計(jì)算方式在電路設(shè)計(jì)零極點(diǎn)計(jì)算中，我們經(jīng)常需要對(duì)MOS管的柵電容進(jìn)行理論估算，柵電容Cgg=Cox*
-
集成電容,MOS電容和平板電容解析
2023-05-30
集成電容,MOS電容和平板電容解析電容是一種對(duì)電荷信號(hào)進(jìn)行處理的無源器件。與電阻類似,電容在數(shù)?；旌想娐废到y(tǒng)中有十分廣泛的應(yīng)用,如運(yùn)放中
-
MIM,MOM與MOS電容的區(qū)別圖文解析
2023-05-29
MIM,MOM與MOS電容的區(qū)別圖文解析ic layout經(jīng)常會(huì)遇到這三種電容： MOS， MOM ， MIM。MOS 電容：兩端結(jié)構(gòu)的mos管，電容值不精確，可
-
先進(jìn)工藝下MIM電容和MOM電容的比較解析
2023-05-29
先進(jìn)工藝下MIM電容和MOM電容的比較解析1、單位面積容值相同的單位面積容值，電容值 MIM < MOM，MIM 約是1 3 MOS電容值。2、工藝實(shí)現(xiàn)和
-
MOS管寄生電容怎么形成
2023-05-29
MOS管寄生電容怎么形成MOS管規(guī)格書中有三個(gè)寄生電容參數(shù)，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該三個(gè)電容參數(shù)具體到管
-
超結(jié)功率MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)解析
2023-05-27
超結(jié)功率MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)解析超級(jí)結(jié) MOSFET (SJ-MOS)英文名稱叫Super Junction MOSFET。為了解決額定電壓提高而導(dǎo)通電阻增加的
-
超結(jié)MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)產(chǎn)生原因解析
2023-05-27
超結(jié)MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)產(chǎn)生原因解析超結(jié)功率MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)產(chǎn)生原因超結(jié)功率MOSFET技術(shù)目前采取多層外延和深溝槽工藝，相對(duì)于