您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!
- 收藏?zé)@芯微
- 手機(jī)訪問
掃一掃訪問手機(jī)網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
傳真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田區(qū)振中路84號(hào)愛華科研樓7層
功率放大器電路圖-功率放大器工作原理和組成詳解功率放大器電路圖是本文主要講的內(nèi)容,我們先來看看什么是功率放大器。功率放大器(英文名
MOS管檢測(cè)好壞的五大應(yīng)用方法解析盤點(diǎn)MOS管檢測(cè)好壞的五大應(yīng)用方法,MOS管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)...
MOS管與三極管控制區(qū)別-MOS管與三極管在功能上的區(qū)別本文主要講MOS管和三極管在控制上的區(qū)別。我們?yōu)槭裁唇?jīng)常看到在使用單片機(jī)I O口驅(qū)動(dòng)MOS
IGBT主要參數(shù)-IGBT的測(cè)試方法與與mosfet的對(duì)比分析IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和電力晶體管(GTR)相結(jié)合的產(chǎn)物。
耗盡型和增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別詳解耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別主要在于耗盡型MOS管在G端(Gate)不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在,而增強(qiáng)型MOS管只有
p型半導(dǎo)體-N型半導(dǎo)體解析(形成、定義、區(qū)別)p型半導(dǎo)體概述p型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體,是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。在純硅中摻入微
MOS管與IGBT管有什么區(qū)別在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
MOS管輸出特性曲線-方程分析MOS管輸出特性曲線詳解,我們知道,三極管是利用Ib的電流去控制電流Ic的,所以說三極管是電流控制電流的器件。
mos管的電路符號(hào)解析-簡(jiǎn)單看明白電路符號(hào)mos管的電路符號(hào)詳解。MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或
數(shù)字萬用表分析-數(shù)字萬用表的四種妙用方法數(shù)字萬用表簡(jiǎn)介數(shù)字萬用表,一種多用途電子測(cè)量?jī)x器,一般包含安培計(jì)、電壓表、歐姆計(jì)等功能,有
電動(dòng)車控制器重要節(jié)點(diǎn)-MOS管成電動(dòng)車未來發(fā)展關(guān)鍵詳情電動(dòng)車控制器是用來控制電動(dòng)車電機(jī)的啟動(dòng)、運(yùn)行、進(jìn)退、速度、停止以及電動(dòng)車的其它電
碳化硅MOSFET優(yōu)勢(shì)分析-具體有哪些優(yōu)勢(shì)詳情碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)?(一)開關(guān)損耗碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì),下圖1是1200V HighSpeed3 IGB