您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機訪問
掃一掃訪問手機網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號愛華科研樓7層
-
電路板上mos管好壞判斷-MOS管引腳功能好壞判斷解析
2020-08-27
電路板上mos管好壞判斷-MOS管引腳功能好壞判斷解析電路板上mos管好壞判斷，主要是用指針式萬用表對MOS管進(jìn)行判別。本文將會從5點來解析。MO
-
碳化硅MOSFET優(yōu)勢分析-具體有哪些優(yōu)勢詳解
2020-08-27
碳化硅MOSFET優(yōu)勢分析-具體有哪些優(yōu)勢詳解碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢？（一）開關(guān)損耗碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢，下圖1是1200V HighSpeed3 IGB
-
MOS管源極與漏極是否能互換使用-三極管與MOS做開關(guān)有何區(qū)別
2020-08-27
MOS管源極與漏極是否能互換使用-三極管與MOS做開關(guān)有何區(qū)別場效應(yīng)管D極與S極能否隨意互換？場效應(yīng)管可分為結(jié)型場效應(yīng)管（簡稱JFET）和絕緣
-
p型半導(dǎo)體-N型半導(dǎo)體圖解-形成、定義、區(qū)別
2020-08-27
p型半導(dǎo)體-N型半導(dǎo)體圖解-形成、定義、區(qū)別p型半導(dǎo)體概述p型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。在純硅中摻入微量
-
碳化硅igbt的優(yōu)勢-碳化硅IGBT結(jié)構(gòu)特點與應(yīng)用詳解
2020-08-26
碳化硅igbt的優(yōu)勢-碳化硅IGBT結(jié)構(gòu)特點與應(yīng)用詳解碳化硅igbt的優(yōu)勢是什么？什么是碳化硅？碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)
-
淺談碳化硅mosfet驅(qū)動和硅IGBT的區(qū)別-應(yīng)用與分類
2020-08-26
淺談碳化硅mosfet驅(qū)動和硅IGBT的區(qū)別-應(yīng)用與分類碳化硅mosfet本文主要講硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別。我們先來看看碳化硅mosfet概述：
-
電路分析方法-電子工程師需知
2020-08-26
電路分析方法-電子工程師需知電路圖是人們?yōu)榱搜芯亢凸こ痰男枰?，用約定的符號繪制的一種表示電路結(jié)構(gòu)的圖形。通過電路圖可以知道實際電路
-
n溝道與p溝道圖片(結(jié)構(gòu)、工作原理)兩種最基本的MOS管
2020-08-26
n溝道與p溝道圖片(結(jié)構(gòu)、工作原理)兩種最基本的MOS管n溝道和p溝道圖片（結(jié)構(gòu)、工作原理）兩種最基本的MOS管n溝道和p溝道圖片詳解，mos管是
-
IGBT保護(hù)電路設(shè)計中的必知問題詳解
2020-08-26
IGBT保護(hù)電路設(shè)計中的必知問題詳解IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵
-
基于雙變換不間斷電源的全橋IGBT詳情
2020-08-26
基于雙變換不間斷電源的全橋IGBT詳情科技的飛速發(fā)展為人們的生活帶來了便利，各種各樣的電源開始充斥著人們的生活。其中不間斷電源被大量使
-
IGBT模塊的檢測方法知識
2020-08-26
IGBT模塊的檢測方法知識 以兩單元為例:用模擬萬用表測量靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無窮
-
MOSFET選擇策略知識
2020-08-25
MOSFET選擇策略知識在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是僅有的功率開關(guān)。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器