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解析IGBT的開關頻率上限有多高首先,開關頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關次數(shù)。而在確定的母線電壓和導通電流下,IGBT每次開關都會產(chǎn)生一定的損
IGBT溫度與功率損耗的估算IGBT模塊的損耗IGBT模塊的損耗源于內(nèi)部IGBT和二極管(續(xù)流FWD、整流)芯片的損耗,主要是IGBT和FWD產(chǎn)生的損耗。IG
二極管,三極管與穩(wěn)壓管表判斷好壞1 用數(shù)字萬用表的二極管檔位測量二極管。測二極管時,使用萬用表的二極管的檔位。若將紅表筆接二極管陽(
二極管的特性和應用幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導體二極管,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導體器件之一,其應
場效應管使用優(yōu)勢,等詳細解析場效應管使用優(yōu)勢,特點解析場效應管的使用優(yōu)勢有哪些?場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在
MOS管設計知識-傳輸管TG與組合邏輯延時解析MOS管的基本性質(zhì)MOS管,即場效應管,四端器件,S、D、G、B四個端口可以實現(xiàn)開和關的邏輯狀態(tài),進
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MOS管怎么檢測好壞MOS管是金屬 —氧化物 —半導體場效應晶體管,或稱是金屬—絕緣體—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都
功率mos管為什么會被燒毀mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態(tài)、關斷過程(由導通到截止的過渡過程
怎么處理MOS管小電流發(fā)熱MOSFET的擊穿有哪幾種?Source、Drain、Gate場效應管的三極:源級S 漏級D 柵級G(這里不講柵極GOX擊穿了啊,只針