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  • 開(kāi)關(guān)電源,PMOS,NMOS?分立負(fù)載開(kāi)關(guān)電路介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-06-17 18:36:22
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    開(kāi)關(guān)電源,PMOS,NMOS分立負(fù)載開(kāi)關(guān)電路介紹
    負(fù)載開(kāi)關(guān)是用于開(kāi)啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。在很多電路中,一個(gè)電源可能對(duì)應(yīng)多個(gè)負(fù)載,有時(shí)候要切換負(fù)載的供電,有時(shí)候要對(duì)負(fù)載進(jìn)行限流,通常的方法可以用PMIC去操作不同的負(fù)載,也可以使用負(fù)載開(kāi)關(guān)去操作。負(fù)載開(kāi)關(guān)有正壓的也有負(fù)壓的,負(fù)壓的比較少。分立器件搭一般都是用Pmos去搭建。
    典型的電路如下:
    PMOS,NMOS ?分立負(fù)載開(kāi)關(guān)電路
    結(jié)構(gòu)1
    PMOS,NMOS ?分立負(fù)載開(kāi)關(guān)電路
    結(jié)構(gòu)2
    使用PMOS構(gòu)建有個(gè)好處可以不用自舉,若是使用NMOS構(gòu)建則需要自舉電路對(duì)MOS的GS提供一些偏置,PMOS的缺點(diǎn)是比較難買(mǎi)。
    NMOS分立負(fù)載開(kāi)關(guān)電路
    下圖是一個(gè)簡(jiǎn)單的NMOS負(fù)載開(kāi)關(guān)電路,該電路對(duì)輸入電壓VIN的最大值有限制,VIN需要小于Vgate-VGS 。
    為了解決VIN限制問(wèn)題,可以在上述電路基礎(chǔ)上,增加一個(gè)電荷泵電路,使用電荷泵,可以實(shí)現(xiàn)NMOS的高VGS,并且使驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通電阻降低。當(dāng)然與PMOS一樣,也會(huì)存在浪涌電流問(wèn)題。如果需要減少浪涌電流,也還需要增加其他一些分立器件。
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