什么是灌流電路
1、MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路
MOS管和普通晶體三極管相比,有諸多的優(yōu)點(diǎn),但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時(shí),由于MOS管具有的容性輸入特性,MOS管的輸入端,等于是一個(gè)小電容器,輸入的開關(guān)激勵(lì)信號(hào),實(shí)際上是在對這個(gè)電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過程,在充放電的過程中,使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后,使“開”與“關(guān)”的過程變慢,這是開關(guān)元件不能允許的(功耗增加,燒壞開關(guān)管)。
壓波形變成B的畸變波形,導(dǎo)致開關(guān)管不能正常開關(guān)工作而損壞,解決的方法就是,只要R足夠的小,甚至沒有阻值,激勵(lì)信號(hào)能提供足夠的電流,就能使等效電容迅速的充電、放電,這樣MOS開關(guān)管就能迅速的“開”、“關(guān)”,保證了正常工作。由于激勵(lì)信號(hào)是有內(nèi)阻的,信號(hào)的激勵(lì)電流也是有限度,我們在作為開關(guān)管的MOS管的輸入部分,增加一個(gè)減少內(nèi)阻、增加激勵(lì)電流的“灌流電路”來解決此問題,如下圖所示。
上圖中,在作為開關(guān)應(yīng)用的MOS管Q3的柵極S和激勵(lì)信號(hào)之間增加Q1、Q2兩只開關(guān)管,此兩只管均為普通的晶體三極管,兩只管接成串聯(lián)連接,Q1為NPN型Q2為PNP型,基極連接在一起(實(shí)際上是一個(gè)PNP、NPN互補(bǔ)的射極跟隨器),兩只管等效是兩只在方波激勵(lì)信號(hào)控制下輪流導(dǎo)通的開關(guān),如下圖A和B。
當(dāng)激勵(lì)方波信號(hào)的正半周來到時(shí);晶體三極管Q1(NPN)導(dǎo)通、Q2(PNP)截止,VCC經(jīng)過Q1導(dǎo)通對MOS開關(guān)管Q3的柵極充電,由于Q1是飽和導(dǎo)通,VCC等效是直接加到MOS管Q3的柵極,瞬間充電電流極大,充電時(shí)間極短,保證了MOS開關(guān)管Q3的迅速的“開”,如圖A所示(圖A和圖B中的電容C為MOS管柵極S的等效電容)。
當(dāng)激勵(lì)方波信號(hào)的負(fù)半周來到時(shí);晶體三極管Q1(NPN)截止、Q2(PNP)導(dǎo)通,MOS開關(guān)管Q3的柵極所充的電荷,經(jīng)過Q2迅速放電,由于Q2是飽和導(dǎo)通,放電時(shí)間極短,保證了MOS開關(guān)管Q3的迅速的“關(guān)”,如上圖B所示。
由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度,所以在Q1在飽和導(dǎo)通時(shí)VCC對MOS管柵極S的瞬時(shí)充電電流巨大,極易損壞MOS管的輸入端,為了保護(hù)MOS管的安全,在具體的電路中必須采取措施限制瞬時(shí)充電的電流值,在柵極充電的電路中串接一個(gè)適當(dāng)?shù)某潆娤蘖麟娮鑂,如下圖A所示。
充電限流電阻R的阻值的選取;要根據(jù)MOS管的輸入電容的大小,激勵(lì)脈沖的頻率及灌流電路的VCC(VCC一般為12V)的大小決定一般在數(shù)十姆歐到一百歐姆之間。
由于充電限流電阻的增加,使在激勵(lì)方波負(fù)半周時(shí)Q2導(dǎo)通時(shí)放電的速度受到限制(充電時(shí)是VCC產(chǎn)生電流,放電時(shí)是柵極所充的電壓VGS產(chǎn)生電流,VGS遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于VCC,R的存在大大的降低了放電的速率)使MOS管的開關(guān)特性變壞,為了使R阻值在放電時(shí)不影響迅速放電的速率,在充電限流電阻R上并聯(lián)一個(gè)形成放電通路的二極管D,上圖B所示。此二極管在放電時(shí)導(dǎo)通,在充電時(shí)反偏截止。這樣增加了充電限流電阻和放電二極管后,既保證了MOS管的安全,又保證了MOS管,“開”與“關(guān)”的迅速動(dòng)作。
2、另一種灌流電路
灌流電路的另外一種形式,對于某些功率較小的開關(guān)電源上采用的MOS管往往采用了下圖A的電路方式。
圖中 D為充電二極管,Q為放電三極管(PNP)。工作過程是這樣,當(dāng)激勵(lì)方波正半周時(shí),D導(dǎo)通,對MOS管輸入端等效電容充電(此時(shí)Q截止),在當(dāng)激勵(lì)方波負(fù)半周時(shí),D截止,Q導(dǎo)通,MOS管柵極S所充電荷,通過Q放電,MOS管完成“開”與“關(guān)”的動(dòng)作,如上圖B所示。此電路由激勵(lì)信號(hào)直接“灌流”,激勵(lì)信號(hào)源要求內(nèi)阻較低。該電路一般應(yīng)用在功率較小的開關(guān)電源上。
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