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IRLML6402場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-MOS管IRLML6402

IRLML6402場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-MOS管IRLML6402

發(fā)布時(shí)間:2020-09-23 23:34:15
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產(chǎn)品概述
IRLML6402場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)
烜芯微生產(chǎn)貼片IRLML6402場(chǎng)效應(yīng)管,提供IRLML6402場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書參數(shù),IRLML6402MOS管資料與IRLML6402場(chǎng)效應(yīng)管的作用
IRLML6402場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)具體如下:
極性:NPN
Power Dissipation(w)功耗:540mW
Continuous Drain Current ID(A)持續(xù)漏極電流:1.2A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓:20V
Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓:±12V
Junction and Storage Temperature Range :結(jié)和儲(chǔ)存溫度范圍:-55 to 150℃
IRLML6402場(chǎng)效應(yīng)管,SOT-23封裝尺寸:
黑膠長(zhǎng):最高值3.0mm,最低值2.8mm
黑膠寬:最高值1.4mm,最低值1.2mm
總寬:最高值2.55mm,最低值2.25mm
高:最高值1.0mm,最低值0.9mm
總高:最高值1.1mm,最低值0.9mm
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IRLML6402場(chǎng)效應(yīng)管
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