MOS管在平時(shí)的電源電路和驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)中使用非常廣泛，只有深入了解其工作原理和規(guī)格書參數(shù)才能保證設(shè)計(jì)的穩(wěn)定可靠。

1. MOS管導(dǎo)通過程分析

MOS管和三極管的特性曲線分別如圖1和圖2所示，它們各自區(qū)間的命名有所不同，其中MOS管的飽和區(qū)也稱為恒流區(qū)、放大區(qū)。其中一個(gè)主要的不同點(diǎn)在于MOS管有個(gè)可變電阻區(qū)，而三極管則是飽和區(qū)，沒有可變電阻區(qū)的說法。從圖中也能明顯看出，MOS管在可變電阻區(qū)內(nèi)，Vgs一定時(shí)，Id和Vds近似為線性關(guān)系，不同Vgs值對(duì)應(yīng)不同的曲線斜率，即漏極D和源極S之間的電阻值Rds受控于Vgs;而三極管在飽和區(qū)內(nèi)，不同Ib值的曲線都重合在一起，即曲線斜率相同，阻值相同。

圖1

圖2

MOS管導(dǎo)通過程中的各電壓電流曲線如圖3所示，其中Vgs曲線有著名(臭名昭著)的米勒平臺(tái)，即Vgs在某段時(shí)間(t3-t2)內(nèi)保持不變。

圖3

我們知道MOS管是壓控器件，不同于三極管是流控器件，但是實(shí)際上MOS管在從關(guān)斷到導(dǎo)通的過程也是需要電流(電荷)的，原因是因?yàn)镸OS管各極之間存在寄生電容Cgd，Cgs和Cds，如圖4所示。MOS管導(dǎo)通條件是Vgs電壓至少達(dá)到閾值電壓Vgs(th)，其通過柵極電荷對(duì)Cgs電容充電實(shí)現(xiàn)，當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通后就不需要提供電流了，即壓控的意思。這三個(gè)寄生電容參數(shù)值在MOS管的規(guī)格書中一般是以Ciss，Coss和Crss形式給出，其對(duì)應(yīng)關(guān)系為：Cgd=Crss;Cds=Coss-Crss;Cgs=Ciss-Crss。

圖4

在MOS管的規(guī)格書上一般還有如圖5所示的柵極充電曲線，其可以很好地解釋為何Vgs電壓會(huì)有米勒平臺(tái)。Vgs一開始隨著柵極電荷的增加而增加，但是當(dāng)Vgs增加到米勒平臺(tái)電壓大小Vp時(shí)，即使柵極電荷繼續(xù)增加，Vgs也保持不變，因?yàn)樵黾拥臇艠O電荷被用來給Cgd電容進(jìn)行充電。因此，MOS管會(huì)有對(duì)應(yīng)的Qgs，Qgd和Qg電荷參數(shù)，如圖6所示。在MOS管截止時(shí)，漏極電壓對(duì)Cgd充電，Cgd的電壓極性是上正下負(fù);當(dāng)MOS管進(jìn)入米勒平臺(tái)后，大部分的柵極電荷用來對(duì)Cgd進(jìn)行充電，但是極性與漏極充電相反，即下正上負(fù)，因此也可理解為對(duì)Cgd反向放電，最終使得Vgd電壓由負(fù)變正，結(jié)束米勒平臺(tái)進(jìn)入可變電阻區(qū)。米勒平臺(tái)時(shí)間內(nèi)，Vds開始下降，米勒平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間即為Vds電壓從最大值下降到最小值的時(shí)間。由此可見米勒平臺(tái)時(shí)間與電容Cgd大小成正比，在通信設(shè)備行業(yè)中-48V電源的緩啟動(dòng)電路經(jīng)常在MOS管柵漏極間并聯(lián)一個(gè)較大的電容，以延長米勒平臺(tái)時(shí)間來達(dá)到電壓緩啟動(dòng)的目的。

圖5

圖6

米勒平臺(tái)電壓的大小可以近似地通過以下公式進(jìn)行估算，Id=gfs(Vp-Vgs(th))，通過規(guī)格書可以得到閾值電壓Vgs(th)和跨導(dǎo)gfs，根據(jù)電路參數(shù)可以得到漏極電流Id，因此，可以近似推算出米勒平臺(tái)電壓Vp。但是需要注意的是跨導(dǎo)gfs并不是一個(gè)常數(shù)，規(guī)格書中給出的數(shù)值都是基于一定的Vds和Id條件下得到的。此外，還有另外一種估算方法Id=K(Vp-Vgs(th))2，根據(jù)規(guī)格書中的參數(shù)計(jì)算出常數(shù)K，然后計(jì)算得到Vp，有興趣的可以查閱參考文獻(xiàn)2。

了解了MOS管的米勒平臺(tái)后，我們可以分析一下圖3所示導(dǎo)通過程中MOS管電壓電流的變化曲線。以常見的MOS管開關(guān)電路為例，在t0~t1時(shí)間段內(nèi)，Vgs小于閾值電壓Vgs(th)時(shí)，MOS管處于截止區(qū)關(guān)斷，漏極電流Id=0，漏源極電壓差Vds為輸入電壓Vin。

在t1~t2時(shí)間段內(nèi)，隨著Vgs從閾值電壓Vgs(th)逐漸增大至米勒平臺(tái)電壓Vp，電流Id從0開始逐漸增大至最大值，MOS管開始導(dǎo)通，并進(jìn)入恒流區(qū)(飽和區(qū))。此時(shí)Vds仍舊維持不變，但是實(shí)際電路中可能會(huì)由于各種雜散寄生電感等因素的影響，也會(huì)產(chǎn)生一部分壓降損失，導(dǎo)致實(shí)際的Vds會(huì)略微下降。同三極管類似，MOS管在飽和區(qū)內(nèi)具有相似的放大特性，其公式為：Id=gfs*Vgs，gfs為MOS管的跨導(dǎo)，可從規(guī)格書中得到。

在t2~t3時(shí)間段內(nèi)，當(dāng)Id逐漸增大至最大值(由電路參數(shù)決定)時(shí)，MOS管開始進(jìn)入米勒平臺(tái)，由于電流Id已經(jīng)達(dá)到最大值保持不變，所以Vgs=Id/gfs亦保持不變，即從公式角度也可以解釋米勒平臺(tái)。在t2~t3時(shí)間段內(nèi)，Vds開始以一定斜率下降。但是實(shí)際下降的斜率在整個(gè)時(shí)間段內(nèi)并非一直保持不變。因?yàn)镸OS管的Cgd電容在這個(gè)過程中是變化的，一開始Cgd較小，之后變大，所以實(shí)際的VDS曲線斜率會(huì)稍有變化，即一開始Cgd電容小，電壓下降較快，之后Cgd電容較大，電壓下降較慢，Cgd電容值的變化曲線如圖7所示。

圖7

在t3之后，MOS管進(jìn)入可變電阻區(qū)，米勒平臺(tái)結(jié)束，Vgs電壓在柵極電荷的驅(qū)動(dòng)下繼續(xù)升高至最大值，Vds則電壓下降至最低值Rds(on)*Id。圖3 MOS管導(dǎo)通曲線的簡化版如圖8所示，分析問題時(shí)圖8已經(jīng)足夠使用。MOS管關(guān)斷時(shí)的分析過程相反，其變化曲線如圖9所示。

圖8

圖9

t1和t2的時(shí)間可以根據(jù)RC充放電原理進(jìn)行近似計(jì)算，t1=Rg*Ciss*ln(Vgs/(Vgs-Vgs(th)))，t2= Rg*Ciss*ln(Vgs/(Vgs-Vp))，其中Vgs為柵極驅(qū)動(dòng)電壓大小，Rg為柵極驅(qū)動(dòng)電阻。t2值近似于規(guī)格書中的參數(shù)延時(shí)導(dǎo)通時(shí)間td(on)。米勒平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間tp可以通過以下公式近似計(jì)算：由于該時(shí)間段內(nèi)Vp保持不變，因此柵極驅(qū)動(dòng)電流大小Ig=(Vgs-Vp)/Rg，tp=Qgd/Ig。tp=t3-t2，近似于規(guī)格書中的參數(shù)上升時(shí)間tr。

2. MOS管損耗分析

MOS管損耗主要有開關(guān)損耗(開通損耗和關(guān)斷損耗，關(guān)注參數(shù)Cgd(Crss))、柵極驅(qū)動(dòng)損耗(關(guān)注參數(shù)Qg)和導(dǎo)通損耗(關(guān)注參數(shù)Rds(on))等。

以如圖10所示的同步BUCK拓?fù)錇槔M(jìn)行說明，由于高側(cè)的開關(guān)管Q1和低側(cè)的同步管Q2組成一個(gè)半橋結(jié)構(gòu)，為了防止兩個(gè)MOS管同時(shí)導(dǎo)通而使輸入回路短路，因此兩個(gè)MOS管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)會(huì)存在一個(gè)死區(qū)時(shí)間，即兩個(gè)MOS管都關(guān)斷。在死區(qū)時(shí)間內(nèi)，由于電感的電流不能突變，因此同步管Q2的寄生體二極管將率先導(dǎo)通進(jìn)行續(xù)流。正是由于體二極管導(dǎo)通后，同步管Q2才被驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通，在忽略二極管壓降的情況下，同步管Q2導(dǎo)通時(shí)兩端電壓為0，可以看作是0電壓導(dǎo)通;同步管Q2導(dǎo)通后，其兩端電壓為0直至關(guān)斷，因此也是0電壓關(guān)斷。因此，同步管Q2基本沒有開關(guān)損耗，這意味著對(duì)于同步管的選取，功耗主要取決于與導(dǎo)通電阻RDS(on)相關(guān)的導(dǎo)通損耗，而開關(guān)損耗可以忽略不計(jì)，因此不必考慮柵極電荷Qg。而高側(cè)的開關(guān)管Q1由于開通和關(guān)閉時(shí)都不是0電壓，因此要基于導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗綜合來考慮。

圖10

所謂開關(guān)損耗是指MOS管在開通和關(guān)斷過程中，電壓和電流不為0，存在功率損耗。由前述MOS管導(dǎo)通過程可知，開關(guān)損耗主要集中在t1~t3時(shí)間段內(nèi)。而米勒平臺(tái)時(shí)間和MOS管寄生電容Crss成正比，其在MOS管的開關(guān)損耗中所占比例最大，因此米勒電容Crss及所對(duì)應(yīng)的Qgd在MOS管的開關(guān)損耗中起主導(dǎo)作用。因此對(duì)于MOS管的選型，不僅需要考慮柵極電荷Qg和柵極電阻Rg，也需要同時(shí)考慮Crss(Cgd)的大小，其同時(shí)也會(huì)在規(guī)格書的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf參數(shù)上有間接反映，MOS管的關(guān)鍵參數(shù)如圖11所示。

圖11

MOS管的各種損耗可以通過以下公式近似估算：

導(dǎo)通損耗：

Q1管：P(HO) = D × (IO 2 × RDS(ON) × 1.3);

Q2管：P(LO) = (1 - D) × (IO 2 × RDS(ON) × 1.3);

系數(shù)1.3主要是考慮MOS管的導(dǎo)通電阻會(huì)隨著溫度的升高而增加。

柵極驅(qū)動(dòng)損耗：

PGC = n ×VCC × Qg × fSW;

n表示MOS管的個(gè)數(shù)(MOS管選型相同時(shí))，fSW表示開關(guān)頻率;柵極驅(qū)動(dòng)損耗主要是發(fā)生在電源控制芯片上，而非MOS管上，但是其大小與MOS管的參數(shù)有關(guān)。

開關(guān)損耗：

PSW = 0.5× Vin × Io × (tr + tf) × fSW;

系數(shù)0.5是因?yàn)閷OS管導(dǎo)通曲線看成是近似線性，折算成面積功率，系數(shù)就是0.5;Vin是輸入電壓，Io是輸出電流;tr和tf是MOS管的上升時(shí)間和下降時(shí)間，分別指的是漏源電壓從90%下降到10%和漏源電壓從10%上升到90%的時(shí)間，可以近似看作米勒平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間，即圖3中的(t3-t2)。另外，規(guī)格書中的td(on)和td(off)可以近似看作是Vgs電壓從0開始上升到米勒平臺(tái)電壓的時(shí)間，即圖3中的t2。
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